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            DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄

            作者: 時間:2017-01-06 來源:全球半導體觀察 收藏

              集邦咨詢半導體研究中心(eXchange)最新研究顯示,由于供貨吃緊至今未有改善的跡象,因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢,2017年第一季平均銷售單價呈大幅上漲格局,DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元,季漲幅超過三成,為DRAM史上首個在傳統淡季下仍能維持強勢漲價的季度。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201701/342534.htm

              DRAMeXchange研究協理吳雅婷表示,根據現已成交的合約看來,2017年第一季標準型內存價格持續(xù)攀高,平均漲幅接近三成,服務器內存的漲幅略同,R-DIMM 32GB模組已超過200美元大關,漲幅同樣超過兩成。

              行動式內存也因智能手機在中國新年鋪貨的需求帶動下,不論是單顆顆粒(discrete product)或eMCP解決方案,價格都同樣攀高,季漲幅估將超過一成。

            DRAM供貨吃緊 創(chuàng)淡季漲幅最高紀錄

              行動式與服務器內存需求持續(xù)強勁,供貨吃緊將可能持續(xù)整年

              2016年起,由于中國品牌崛起帶動智能手機需求旺盛,DRAM原廠陸續(xù)調降標準型內存產出,轉作行動式內存。在供貨減少下,DDR3 4GB均價一路攀升至今,連帶讓服務器內存價格也呈現大漲,甚至行動式內存在2017年第一季也有近15%的季漲幅,此外,圖形處理用內存與利基型內存也都雨露均沾,季漲幅至少超過一成。

              展望2017年,各DRAM原廠資本支出較為保守,皆不傾向過分擴張產能,并以獲利導向為主要經營策略。

              DRAMeXchange預估,2017年DRAM產業(yè)的供給端位元年成長率僅19%,遠低于往年至少二成甚至超過三成的年成長率,在2017年DRAM需求端年成長超過22%情況下,供不應求的嚴峻程度可見一斑。

              從市場面觀察,由于2017年旗艦手機內存搭載量將上看8GB,加上中端手機多邁向搭載4GB規(guī)格,因此行動式內存依然是DRAM產業(yè)需求成長最為強勁的類別,整體而言,2017年智能手機內存容量年成長將超過30%,超越一般筆電使用的內存規(guī)格。

              此外,因各式云服務興起,服務器用內存需求也顯著成長。DRAMeXchange預估,2017年服務器的平均內存容量將達130GB以上,其中,中國市場的強勁需求力道高于世界水平,亦驅使DRAM廠在2017年的產能分配下,皆計劃將產能轉往行動式內存與服務器內存,持續(xù)使部分的DRAM產品供貨吃緊甚至發(fā)生缺貨情形。

              現階段DRAM廠多采取制程轉進的方式滿足客戶需求,而不傾向增加產能,因此,2017年供貨短缺的情況極有可能持續(xù)一整年度,有助于DRAM產業(yè)維持豐厚獲利。



            關鍵詞: DRAM

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