過去幾年，中國正在瘋狂存儲產(chǎn)業(yè)，尤其是經(jīng)歷了2016年的兼并整合以后，中國的存儲產(chǎn)業(yè)初具規(guī)模。但就目前看來，中國存儲能否大獲成功，就得看在來年，包括Intel、三星、美光等知名的存儲產(chǎn)品供應商是否愿意和中國簽署相關技術(shù)授權(quán)協(xié)議。

　　IC Insights的分析師指出，隨著PC、數(shù)據(jù)中心服務器、平板、智能手機和其他設備的興起，中國對DRAM和Flash的渴求達到了一個前所未有的階段。所以他們在“十三五規(guī)劃”里把發(fā)展存儲放在一個重要的位置。

面臨的難題

　　但坦白說，中國現(xiàn)在的技術(shù)儲備，是撐不起中國現(xiàn)在的存儲野心的。其實隨著后續(xù)IoT和AI應用的大量興起，存儲需求是會大量攀升的，對于中國來說，如何迅速獲得核心技術(shù)，就成為中國存儲產(chǎn)業(yè)關注的首要問題。

　　據(jù)分析，中國存儲還是需要關注以下問題：

　　(1)中國能否自主設計和生產(chǎn)存儲芯片?

　　(2)如果中國不能自主設計，能否買到有相關技術(shù)的公司?

　　(3)如果美國CFIUS拒絕中國對其本土企業(yè)發(fā)起的并購，中國還可以從哪里獲得相關技術(shù)?

　　另外還有一個重要的問題，那就是足夠是否能夠籠絡到一批經(jīng)驗足夠豐富的存儲相關工程師，以撐起其發(fā)展的野心。

　　但換個角度看，存儲供應商同樣面臨困擾(包括美國本土的)。他們需要思考的是一旦中國不想跟他們玩，他們的未來能怎么辦?

　　這不僅僅是中國市場的問題，還有一點就是隨著技術(shù)的發(fā)展，研發(fā)成本支出也越來越大，對于一些稍欠缺點競爭力的廠商，他們還需要考慮怎樣才能活下去。不差錢的中國恰好能夠解決這兩個問題。

　　美國硅谷一個不具名的半導體高層表示，如果美光和東芝不和中國達成某種合作，他們應該是最先受到?jīng)_擊的。

　　另一個問題是，假設中國真的如期推出了其存儲產(chǎn)品，那么在未來幾年，全球市場勢必會面臨NAND和Flash產(chǎn)能過程的問題。

　　IC Insights最近的指出，2016年全球存儲的資金支出大增，但根據(jù)過去的觀察，這往往會帶來產(chǎn)能過剩和單價下探的反效果。

　　這也是中國攪局全球市場，帶來的另一個重要影響

　　縱觀全球的存儲市場，尤其是在熱門的3D NAND FLASH市場，有三星、SK海力士、美光、Intel、東芝/閃迪、XMC/長江存儲和眾多新進的中國玩家。IC Insights也認為未來3D NAND Flash的市場需求是非常高的，并將會持續(xù)增長的。

　　而在這些玩家之中，三星在其中國西安的工作制造相關的3D NAND Flash產(chǎn)品，SK海力士則在無錫生產(chǎn)DRAM，而Intel也在今年年初，把其大連工廠轉(zhuǎn)成3D NAND Flash生產(chǎn)基地。

　　需要提一下的是，中國的晶圓代工廠SMIC從很多年前開始，就逐步停止DRAM業(yè)務。

　　從現(xiàn)在看來，中國本土的存儲產(chǎn)業(yè)雖然有點弱小，但是中國大張旗鼓的建設，大基金和政府的支持，這絕對是存儲領域不能忽視的新興力量。

　　從IC Insights的報告我們得知，中國現(xiàn)有的存儲勢力包括：

　　(1)長江存儲，這是清華紫光在今年7月收購XMC之后成立的新公司。它的300mm 3D NANND FLASH 晶圓廠已經(jīng)動工，產(chǎn)線預計2017年底或者2018年初投入使用。

　　(2)兆易創(chuàng)新和中芯國際前CEO王寧國打造的合肥長鑫，專攻DRAM，預計2017年7月動工。

　　(3)福建晉華項目，強攻DRAM，由當?shù)卣吐?lián)電攜手打造。預計2018年第三季度量產(chǎn)。

　　下面我們來深入了解一下：

　　中國存儲的重要玩家——長江存儲

　　長江存儲可以說是清華紫光求購兩個美國公司不成的選擇。

　　在2015年，清華紫光向美光科技發(fā)起了一個230億美元的收購邀約，之后又向西部數(shù)據(jù)一個38億美元的投資協(xié)議，但這兩個發(fā)起統(tǒng)統(tǒng)都被美國政府方面否定。于是紫光集團將目光瞄向了本土的XMC，在今年7月收購后者之后，成立了長江存儲。

　　這次的并購釋放出了一個明顯的信號，那就是無論多困難，中國也不會放棄其發(fā)展存儲的野心。

　　XMC本來是由楊士寧(后辭去武漢新芯CEO職位)運營的，之前一直為Spansion(現(xiàn)已被Cypress收購)生產(chǎn)nor flash。在2015年初，XMC宣布和Spansion攜手開發(fā)3D NAND Flash。另外，XMC同樣也為兆易創(chuàng)新生產(chǎn)Nor Flash。

　　新的長江存儲計劃投入240億美元，分三個階段建設一個300mm Fab，現(xiàn)在第一階段的建設已經(jīng)開工，預計總體建設工程會在2019年完成。相關人士指出，長江存儲將會在2017年底量產(chǎn)32層的3D NAND FLASH，產(chǎn)能達到30萬片每月。而技術(shù)則可能來自于Spansion。

　　但對于這種說法，我是有些疑問的。

　　在和很多日本從業(yè)者交流過之后，他們給我的反饋就是，他們對于XMC所說的3D NAND Flash相關技術(shù)存有疑問的。他們認為，雖然官方給出了計劃表，但實際上NAND FLASH什么時候能夠真正量產(chǎn)，都是一個未知之數(shù)。

　　他們更傾向于相信XMC正在加緊開發(fā)3D NAND FLASH技術(shù)。因為Spansion的3D NAND FLASH從來沒有量產(chǎn)過，很多業(yè)者認為，他們的技術(shù)還不夠成熟。

　　就算到XMC真的能拿出32層的3D NAND FLASH技術(shù)，并按時量產(chǎn)。但屆時三星和其他玩家甚至可能拿出了100層以上的3D NAND Flash，或者將存儲方向轉(zhuǎn)向了Intel正在推的3D Xpoint。雖然是有差距，但是對中國來說，也是一個大突破。

　　而根據(jù)行業(yè)專家觀點，長江存儲未來在存儲上的投入至少達千億規(guī)模。