在探討C-V測試系統(tǒng)的配置方法之前，了解半導(dǎo)體C-V測量技術(shù)[1]的局限性是很重要的：
·電容：從<10fF到1微法
·電阻：從<0.1歐姆到100M歐姆
·小電感：從<1nH到10mH
·柵介質(zhì)：可以提取的等價(jià)柵氧厚度范圍從不到10納米到幾百納米?？梢詸z測出的電介質(zhì)玷污濃度從每平方厘米5e9個(gè)離子到約1e13個(gè)離子，界面阱范圍從約1e10/cm2/ev到1e13/cm2電荷左右（取決于器件結(jié)構(gòu)）?，F(xiàn)代儀器和探針臺(tái)的超低電容測量功能能夠測量更厚的疊層電介質(zhì)。
·MOS摻雜：可以提取MOSFET的摻雜分布情況，靈敏度范圍從約1e14/cm3到1e18/cm3，摻雜深度從0.01µm到10µm。少數(shù)載流子壽命從1µs到10ms。可從C-V測量中測得10µs的壽命時(shí)間。
·PN和肖特基結(jié)摻雜：可在0.1µm到100µm的深度范圍內(nèi)測出約1e 13/cm3t到1e18/cm3的二極管載流子濃度。
·FET和BJT建模參數(shù)：除了測量器件和材料特性之外，C-V測試還可進(jìn)行直接測量用于構(gòu)建FET和BJT晶體管[2]中的參數(shù)。
重要的是要注意很多因素都會(huì)影響這些參數(shù)提取范圍，例如最大電壓值、器件尺寸和柵氧厚度。幸運(yùn)的是，已有很多文獻(xiàn)能夠幫助廣大研究人員和工程師判斷所需的測量范圍是否與現(xiàn)在的C-V測量技術(shù)所具有的功能很好的匹配。