正向電壓測試
要理解新的結(jié)構(gòu)單元材料，如石墨烯、碳納米管[1]、硅納米線[2]或者量子點，在未來的電子器件中是如何發(fā)揮其功效的，就必須采用那些能在很寬范圍上測量電阻、電阻率、遷移率和電導(dǎo)率的計測手段。這常常需要對極低的電流[3]和電壓進行測量。對于那些力圖開發(fā)這些下一代材料并使之商業(yè)化的工程師而言，在納米尺度上進行精確的、可重復(fù)的測量的能力顯得極為重要。

光學(xué)測試
光學(xué)測量中也需要使用正向電流偏置[4]，因為電流與HBLED的發(fā)光量密切相關(guān)?？梢杂霉怆姸O管或者積分球來捕捉發(fā)射的光子，從而可以測量光功率?？梢詫l(fā)光變換為一個電流，并用電流計或者一個信號源－測量單元的單個通道來測量該電流。

反向擊穿電壓測試
對HBLED施加的反向偏置電流可以實現(xiàn)反向擊穿電壓[5]（VR）的測試。該測試電流的設(shè)置應(yīng)當(dāng)使所測得的電壓值不再隨著電流的輕微增加而顯著上升。在更高的電壓下，反向偏置電流的大幅增加所造成的反向電壓的變化并不顯著。VR的測試方法是，在一段特定時間內(nèi)輸出低反向偏置電流，然后測量HBLED兩端的電壓降。其結(jié)果一般為數(shù)十伏特。