貼片電容模型

　　射頻陶瓷貼片電容的外形示意圖如圖1所示。

　　其等效模型如圖2所示。

　　其中，C為電容，L為電極等效串聯(lián)電感，R為電極和介質(zhì)交流漏電阻的等效串聯(lián)值，這樣，一個(gè)射頻電容的阻抗Z為：

　　測(cè)試夾具

　　本實(shí)驗(yàn)使用特性阻抗Zc為50Ω的共面波導(dǎo)作為測(cè)試夾具，將待測(cè)電容橫跨接在共面波導(dǎo)的內(nèi)外金屬條帶之間，其橫截面圖如圖3所示。并接在共面波導(dǎo)上的被測(cè)電容構(gòu)成的雙端口網(wǎng)絡(luò)如圖4所示。

　　計(jì)算與結(jié)果

　　網(wǎng)絡(luò)分析儀測(cè)量并結(jié)合一定的校準(zhǔn)方法（TRL）可算出電容的散射參數(shù)S21o由微波網(wǎng)絡(luò)理論可知：

　　取Z的虛部（電抗）X，運(yùn)用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)處理中的最小二乘法并由（1）式知，X的擬合模型為？L-1/？C。通過(guò)一系列頻點(diǎn)？i的測(cè)試計(jì)算數(shù)據(jù)Xi（i=1，2，。，n），尋找最優(yōu)的參數(shù)L和C使得：

　　現(xiàn)對(duì)5個(gè)標(biāo)稱值已知的片式電容在300M～3000MHz的頻率范圍內(nèi)測(cè)量，所得數(shù)據(jù)與生產(chǎn)廠家給出的電容標(biāo)稱值進(jìn)行比較，如表1所示。

　　由上表可見(jiàn)，片式電容的測(cè)量值均落在標(biāo)稱值的容許誤差范圍內(nèi)。

　　其中5號(hào)電容的測(cè)量計(jì)算電抗值X與擬合模型？L-1/？C的曲線如圖5所示。

　　從上圖可以直觀地看出，被測(cè)電容的電抗符合模型所描述的規(guī)律。

　　采用掃頻法測(cè)量阻抗值并用最小二乘法擬合計(jì)算，不僅可以得出電容值，還可以得出等效串聯(lián)電感和電阻（由于生產(chǎn)廠家沒(méi)有給出相應(yīng)的標(biāo)稱值進(jìn)行比較，這里不再列出）。應(yīng)注意掃頻帶寬不宜過(guò)大，否則會(huì)因電容器內(nèi)電介質(zhì)的色散而使電容值有一定的變化，通常可在3G的頻寬內(nèi)測(cè)量。