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            EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 設(shè)計(jì)應(yīng)用 > 大容量NAND Flash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

            大容量NAND Flash在多媒體手機(jī)中的應(yīng)用

            作者: 時(shí)間:2016-12-20 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏


              完成ReadMode(1)的偽碼如下:

              ReadMode1_Func(Cmd, Addr)

              {

              RE=1;

              ALE = 0 ;

              CLE = 1 ;

              WE = 0 ;

              CE=0;

              SendCmd(Cmd); // 向NAND 發(fā)送操作命令,此例中應(yīng)該是00H

              WE = 1 ; / / NAND 取走命令

              CE = 1 ;

              CLE=0; // 發(fā)送命令結(jié)束

              ALE=1; // 開(kāi)始發(fā)送起始地址

              for(i=0;i<3;i++)

              {

              WE = 0 ;

              CE=0;

              SendAddr(Addr);

              WE=1; // 取走指令

              CE=1;

              } // 發(fā)送完所有地址

              CE=1;

              WE = 1 ;

              ALE = 0 ;

              Delay(2);

              while(BUSY)

              Wait; // 判斷等待狀態(tài)是否結(jié)束

              RE=0;

              CE=0;

              ReadData(Buf); // 讀取數(shù)據(jù)到buffer

              }


            2.5 NANDFlashDiver的特殊功能

            NANDFlash的訪(fǎng)問(wèn)是串行的,比較類(lèi)似硬盤(pán)的存儲(chǔ)方式。NANDFlash必須有Driver的支持才能在手機(jī)使用。Driver除了提供對(duì)NANDFlash的Read,Program,Erase外,還應(yīng)該提供以下基本的功能:

              BadBlockManagement

              WearLevelingTreatment

              ECC(ErrorCorrectCode)

            NANDFlash是通過(guò)Driver分配的邏輯地址來(lái)進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)的。BadBlockManagement對(duì)壞塊不分配邏輯地址,這樣會(huì)形成連續(xù)的邏輯地址。WearLevelingTreatment避免對(duì)某一區(qū)域進(jìn)行大量的讀寫(xiě)操作,這樣就會(huì)延長(zhǎng)NANDFlash的使用時(shí)間。ECC主要完成讀寫(xiě)過(guò)程中的糾錯(cuò),但是ECC只能對(duì)1bit的數(shù)據(jù)進(jìn)行糾錯(cuò)。

            3 結(jié)語(yǔ)

            在多媒體手機(jī)中NANDFlash主要用來(lái)存儲(chǔ)多媒體數(shù)據(jù)(圖片、語(yǔ)音文件等)。在實(shí)際應(yīng)用中不會(huì)對(duì)NANDFlash進(jìn)行頻繁的寫(xiě)入和擦除操作,而且多媒體數(shù)據(jù)對(duì)數(shù)據(jù)的完整性要求也不是很高,但是多媒體數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)量較大。這些特征決定了使用NANDFlash來(lái)存儲(chǔ)多媒體數(shù)據(jù)是十分恰當(dāng)?shù)?,這也正是業(yè)界的通行做法。


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