本應(yīng)用中用到ADuC7061的特性如下：

　　1.內(nèi)置可編程增益放大器（PGA）的24位Σ-Δ型主ADC:PGA的增益在本應(yīng)用的軟件中設(shè)置為32。

　　2.可編程激勵(lì)電流源，用來(lái)強(qiáng)制受控電流流經(jīng)RTD：雙通道電流源可在0 μA至2 mA范圍內(nèi)以200 μA步進(jìn)配置，本例設(shè)置為200 μA。

　　3.ADuC7061中ADC的外部基準(zhǔn)電壓源：對(duì)于本應(yīng)用，我們采用比率式設(shè)置，將一個(gè)外部基準(zhǔn)電阻（RREF）連接在外部VREF+ 和VREF- 引腳上?；蛘?，也可以在ADuC7061中提供1.2 V內(nèi)部基準(zhǔn)電壓源。

　　4.ARM7TDMI內(nèi)核：功能強(qiáng)大的16/32位ARM7內(nèi)核集成了32 kB閃存和SRAM存儲(chǔ)器，用來(lái)運(yùn)行用戶(hù)代碼，可配置并控制ADC,通過(guò)RTD處理ADC轉(zhuǎn)換，以及控制UART/USB接口的通信。

　　5.UART: UART用作與PC主機(jī)的通信接口。

　　6.兩個(gè)外部開(kāi)關(guān)用來(lái)強(qiáng)制該器件進(jìn)入閃存引導(dǎo)模式：使S1處于低電平，同時(shí)切換S2,ADuC7061將進(jìn)入引導(dǎo)模式，而不是正常的用戶(hù)模式。在引導(dǎo)模式下，通過(guò)UART接口可以對(duì)內(nèi)部閃存重新編程。

　　本電路使用的RTD為100 Ω鉑RTD,型號(hào)為Enercorp PCS 1.1503.1.它采用0805表貼封裝，溫度變化率為0.385 Ω/°C。

　　注意，基準(zhǔn)電阻RREF應(yīng)為精密5.62 kΩ （±0.1%）電阻。

　　ADuC7061的USB接口通過(guò)FT232R UART轉(zhuǎn)USB收發(fā)器實(shí)現(xiàn)，它將USB信號(hào)直接轉(zhuǎn)換為UART。除下圖所示的去耦外，USB電纜本身還應(yīng)采用鐵氧體磁珠來(lái)增強(qiáng)EMI/RFI保護(hù)功能。本電路所用鐵氧體磁珠為T(mén)aiyo Yuden #BK2125HS102-T,它在100 MHz時(shí)的阻抗為1000 Ω。

　　本電路必須構(gòu)建在具有較大面積接地層的多層電路板上。為實(shí)現(xiàn)最佳性能，必須采用適當(dāng)?shù)牟季?、接地和去耦技術(shù)。