總結(jié)：

一：從差模保護角度來看，新方案比老方案殘壓稍高0.6V左右。這個是因為差模二級保護的TVS管動作電壓不同引起的（新方案差模二級保護TVS管動作電壓比老方案多了一個二極管正向壓降電壓即高了0.5V）。雖然高了0.6V左右但對后端護芯片沒影響。

二：從共模角度來看，新方案比老方案保護更好。正向電壓浪涌下，新方案共?；芈繁壤戏桨腹材；芈范嗔藗€5歐電阻，因此新方案殘壓比老方案略低。負向電壓浪涌下，老方案主要靠GDT,TVS進行泄放箝位，箝位之后殘壓依然沖擊后端芯片，而新方案主要靠GDT進行泄放，GDT泄放后的殘壓不能通過IN4007到后端即不能沖擊芯片，因次，新方案共模對后端的芯片保護更徹底保護效果更好。

三：新方案因地線接有二極管IN4007，故能有效防止低于1000V以下的地電位反擊對后端芯片的沖擊。而老方案則只能靠TVS管進行“硬抗”箝位，對后端芯片還是能造成一定的沖擊。新方案中若認為有可能出現(xiàn)1000V以上的地電位反擊，則可以更換反向擊穿電壓更高的二極管，但根據(jù)經(jīng)驗接地效果良好的情況下出現(xiàn)1000V以上的地電位反擊幾乎不會出現(xiàn)。

四：從空間上來看，新方案比老方案要求的體積空間稍大。

五：從成本來看，新RS485方案比老RS485方案少用一個TVS管，多用一個二極管，一個電阻，新方案的成本較低。新RS485方案可以以保留“骨架”更換型號變成另一種應(yīng)用的保護方案的方式進行拓展拓廣。這時，有可能成本節(jié)省更多。

綜上，保護效果幾乎相同，成本更低，只是占用空間稍大點的新RS485方案還是值得推廣的。