次級(jí)電路的元件遠(yuǎn)離初級(jí)電路的屏蔽體或者開(kāi)關(guān)管的散熱片。

　　10.保持初級(jí)電路的擺動(dòng)的節(jié)點(diǎn)和元件本體遠(yuǎn)離屏蔽或者散熱片。

　　11.使高頻輸入的EMI濾波器靠近輸入電纜或者連接器端。

　　12.保持高頻輸出的EMI濾波器靠近輸出電線(xiàn)端子。

　　13.使EMI濾波器對(duì)面的PCB板的銅箔和元件本體之間保持一定距離。

　　14.在輔助線(xiàn)圈的整流器的線(xiàn)路上放一些電阻。

　　15.在磁棒線(xiàn)圈上并聯(lián)阻尼電阻。

　　16.在輸出RF濾波器兩端并聯(lián)阻尼電阻。

17.在PCB設(shè)計(jì)時(shí)允許放1nF/500V陶瓷電容器或者還可以是一串電阻，跨接在變壓器的初級(jí)的靜端和輔助繞組之間。　　18.保持EMI濾波器遠(yuǎn)離功率變壓器;尤其是避免定位在繞包的端部。

　　19.在PCB面積足夠的情況下,可在PCB上留下放屏蔽繞組用的腳位和放RC阻尼器的位置，RC阻尼器可跨接在屏蔽繞組兩端。

　　20.空間允許的話(huà)在開(kāi)關(guān)功率場(chǎng)效應(yīng)管的漏極和門(mén)極之間放一個(gè)小徑向引線(xiàn)電容器(米勒電容，10皮法/1千伏電容)。

　　21.空間允許的話(huà)放一個(gè)小的RC阻尼器在直流輸出端。

　　22.不要把AC插座與初級(jí)開(kāi)關(guān)管的散熱片靠在一起。

　　開(kāi)關(guān)電源EMI的特點(diǎn)

　　作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大;干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚;開(kāi)關(guān)頻率不高(從幾十千赫和數(shù)兆赫茲)，主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾;而印刷線(xiàn)路板(PCB)走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布參數(shù)的提取和近場(chǎng)干擾估計(jì)的難度。

　　1MHZ以?xún)?nèi)----以差模干擾為主,增大X電容就可解決

　　1MHZ---5MHZ---差模共模混合,采用輸入端并一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并解決;

　　5M---以上以共摸干擾為主,采用抑制共摸的方法.對(duì)于外殼接地的,在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)繞2圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減(diudiu2006);對(duì)于25--30MHZ不過(guò)可以采用加大對(duì)地Y電容、在變壓器外面包銅皮、改變PCBLAYOUT、輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小磁環(huán),最少繞10圈、在輸出整流管兩端并RC濾波器.

　　30---50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起,可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻,RCD緩沖電路采用1N4007慢管,VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決.

　　100---200MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起,可以在整流管上串磁珠

　　100MHz-200MHz之間大部分出于PFCMOSFET及PFC二極管,現(xiàn)在MOSFET及PFC二極管串磁珠有效果,水平方向基本可以解決問(wèn)題,但垂直方向就很無(wú)奈了

　　開(kāi)關(guān)電源的輻射一般只會(huì)影響到100M以下的頻段.也可以在MOS,二極管上加相應(yīng)吸收回路,但效率會(huì)有所降低?！　?em style="word-break: break-all; ">1MHZ以?xún)?nèi)----以差模干擾為主

　　1.增大X電容量;

　　2.添加差模電感;

　　-SPACING:0px;PADDING-TOP:0px;-webkit-text-size-adjust:auto;-webkit-text-stroke-width:0px">3.小功率電源可采用PI型濾波器處理(建議靠近變壓器的電解電容可選用較大些)。1MHZ---5MHZ---差模共?；旌?，采用輸入端并聯(lián)一系列X電容來(lái)濾除差摸干擾并分析出是哪種干擾超標(biāo)并以解決：

　　1.對(duì)于差模干擾超標(biāo)可調(diào)整X電容量,添加差模電感器，調(diào)差模電感量;

　　2.對(duì)于共模干擾超標(biāo)可添加共模電感,選用合理的電感量來(lái)抑制;

　　3.也可改變整流二極管特性來(lái)處理一對(duì)快速二極管如FR107一對(duì)普通整流二極管1N4007。

　　5M---以上以共摸干擾為主，采用抑制共摸的方法

　　對(duì)于外殼接地的，在地線(xiàn)上用一個(gè)磁環(huán)串繞2-3圈會(huì)對(duì)10MHZ以上干擾有較大的衰減作用;可選擇緊貼變壓器的鐵芯粘銅箔,銅箔閉環(huán).處理后端輸出整流管的吸收電路和初級(jí)大電路并聯(lián)電容的大小。

　　對(duì)于20--30MHZ，

　　1.對(duì)于一類(lèi)產(chǎn)品可以采用調(diào)整對(duì)地Y2電容量或改變Y2電容位置;

　　2.調(diào)整一二次側(cè)間的Y1電容位置及參數(shù)值;

　　3.在變壓器外面包銅箔;變壓器最里層加屏蔽層;調(diào)整變壓器的各繞組的排布。

　　4.改變PCBLAYOUT;

　　5.輸出線(xiàn)前面接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感;

　　6.在輸出整流管兩端并聯(lián)RC濾波器且調(diào)整合理的參數(shù);

　　7.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;

　　8.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容。

　　9.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻.

　　30---50MHZ普遍是MOS管高速開(kāi)通關(guān)斷引起，

　　1.可以用增大MOS驅(qū)動(dòng)電阻;

　　2.RCD緩沖電路采用1N4007慢管;

　　3.VCC供電電壓用1N4007慢管來(lái)解決;

　 4.或者輸出線(xiàn)前端串接一個(gè)雙線(xiàn)并繞的小共模電感;

5.在MOSFET的D-S腳并聯(lián)一個(gè)小吸收電路;

　　6.在變壓器與MOSFET之間加BEADCORE;

　　7.在變壓器的輸入電壓腳加一個(gè)小電容;

　　8.PCB心LAYOUT時(shí)大電解電容，變壓器，MOS構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小;

　　9.變壓器，輸出二極管，輸出平波電解電容構(gòu)成的電路環(huán)盡可能的小。

　　50---100MHZ普遍是輸出整流管反向恢復(fù)電流引起，

　　1.可以在整流管上串磁珠;

　　2.調(diào)整輸出整流管的吸收電路參數(shù);

　　3.可改變一二次側(cè)跨接Y電容支路的阻抗,如PIN腳處加BEADCORE或串接適當(dāng)?shù)碾娮?

　　4.也可改變MOSFET，輸出整流二極管的本體向空間的輻射(如鐵夾卡MOSFET;鐵夾卡DIODE，改變散熱器的接地點(diǎn))。

　　5.增加屏蔽銅箔抑制向空間輻射.

　　200MHZ以上開(kāi)關(guān)電源已基本輻射量很小，一般可過(guò)EMI標(biāo)準(zhǔn)。