離地方案，IC有外露的GND焊盤，應焊到PCB上，以盡量減少電氣阻抗與熱阻。幾只關鍵去耦電容應緊挨著IC引腳。

控制電路應有一個不同于功率級地的獨立信號(模擬)地。如果控制器IC上有獨立的SGND(信號地)和PGND(功率地)引腳，則應分別布線。對于集成了MOSFET驅動器的控制IC，小信號部分的IC引腳應使用SGND。

信號地與功率地之間只需要一個連接點。合理方法是使信號地返回到功率地層的一個干凈點。只在控制器IC下連接兩種接地走線，就可以實現(xiàn)兩種地。圖12(略)給出了建議的LTC3855電源接地隔離法。在本例中，IC有一個外露的接地焊盤。此焊盤應焊到PCB上，以盡量減少電氣阻抗與熱阻。應在接地焊盤區(qū)放置多個過孔。

控制IC的去耦電容應靠近各自的引腳。為盡量減少連接阻抗，好的方法是將去耦電容直接接到引腳上，而不通過過孔。如圖12(略)所示，應靠近置放去耦電容的LTC3855引腳是電流檢測引腳Sense+/Sense-，補償引腳ITH，信號地SGND，反饋分壓器腳FB，IC VCC電壓引腳INTVCC，以及功率地引腳PGND?；芈访娣e與串擾

兩個或多個鄰近導體可以產生容性耦合。一個導體上的高dv/dt會通過寄生電容，在另一個導體上耦合出電流。為減少功率級對控制電路的耦合噪聲，高噪聲的開關走線要遠離敏感的小信號走線。如果可能的話，要將高噪聲走線與敏感走線布放在不同的層，并用內部地層作為噪聲屏蔽。

空間允許的話，控制IC要距離功率MOSFET和電感有一個小的距離(0.5英寸~1英寸)，后者既有大噪聲又發(fā)熱。

LTC3855控制器上的FET驅動器TG、BG、SW和BOOST引腳都有高的dv/dt開關電壓。連接到最敏感小信號結點的LTC3855引腳是：Sense+/Sense-、FB、ITH和SGND。如果布局時將敏感的信號走線靠近了高dv/dt結點，則必須在信號走線與高dv/dt走線之間插入接地線或接地層，以屏蔽噪聲。

在布放柵極驅動信號時，采用短而寬的走線有助于盡量減小柵極驅動路徑中的阻抗。在圖13(略)中，布放的高FET驅動器走線TG與SW應有最小的回路面積，以盡量減小電感與高dv/dt噪聲。同樣，低FET驅動器走線BG要靠近一根PGND走線。

如果在BG走線下布放了一個PGND層，低FET的交流地返回電流將自動耦合到一個靠近BG走線的路徑中。交流電流會流向它所發(fā)現(xiàn)的最小回路/阻抗。此時，低柵極驅動器不需要一個獨立的PGND返回走線。最好的辦法是盡量減少柵極驅動走線通過的層數(shù)量，這樣可防止柵極噪聲傳播到其它層。

在所有小信號走線中，電流檢測走線對噪聲最為敏感。電流檢測信號的波幅通常小于100mV，這與噪聲的波幅相當。以LTC3855為例，Sense+/Sense-走線應以最小間距并行布放(Kelvin檢測)，以盡量減少拾取di/dt相關噪聲的機會，如圖14(略)所示。

另外，電流檢測走線的濾波電阻與電容都應盡可能靠近IC引腳。當有噪聲注入長的檢測線時，這種結構的濾波效果最好。如果采用帶R/C網絡的電感DCR電流檢測方式，則DCR檢測電阻R應靠近電感，而DCR檢測電容C則應靠近IC。

如果在走線到Sense-的返回路徑上使用了一個過孔，則過孔不應接觸到其它的內部VOUT+層。否則，過孔可能會傳導大的VOUT+電流，所產生的壓降可能破壞電流檢測信號。要避免在高噪聲開關結點(TG、BG、SW和BOOST走線)附近布放電流檢測走線。如可能，在電流檢測走線所在層與功率級走線層之間放置地層。

如果控制器IC有差分電壓遠程檢測引腳，則要為正、負遠程檢測線采用獨立的走線，同時也采用Kelvin檢測連接。

走線寬度的選擇

對具體的控制器引腳，電流水平和噪聲敏感度都是唯一的，因此，必須為不同信號選擇特定的走線寬度。通常情況下，小信號網絡可以窄些，采用10mil~15mil寬度的走線。大電流網絡(柵極驅動、VCC以及PGND)則應采用短而寬的走線。這些網絡的走線建議至少為20mil寬。

布局檢查表

表1可從網上下載(http://bit.ly/Ruxanc)，它是圖10(略)所示LTC3855雙相電源的一個檢查表實例。采用這個檢查表有助于確保得到一個布局嚴謹?shù)碾娫丛O計。