首個DDR4-2666 RDIMM內(nèi)存問世：瞄準(zhǔn)Intel下一代平臺
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一直致力于工業(yè)級存儲設(shè)備研發(fā)的InnoDisk今天正式宣布推出DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品，主要適配即將于2017年發(fā)布的Intel Purley平臺。InnoDisk嵌入式DRAM業(yè)務(wù)副總裁Samson Chang表示，此次推出的DDR4-2666服務(wù)器內(nèi)存是世界上首個RDIMM內(nèi)存產(chǎn)品，其擁有2666MT/s的默認(rèn)速度，可以充分發(fā)揮Intel Purley平臺的性能。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201611/340196.htmInnoDisk DDR4-2666 RDIMM服務(wù)器內(nèi)存工作電壓為1.2V，符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)，目前擁有8GB、16GB、21GB三種容量版本，預(yù)計2017年第一季度將推出更大容量的型號。
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