日前，復(fù)旦大學(xué)光科學(xué)與工程系陸明課題組通過(guò)在p型單晶Si(100)上擴(kuò)散磷制備pn結(jié)，利用化學(xué)刻蝕方法在n型發(fā)射極中形成多孔黑硅，并利用該種黑硅材料制備出高效太陽(yáng)能電池。采用黑硅材料制備出的電池效率達(dá)到18.97%，突破了國(guó)際上同類結(jié)構(gòu)電池的最高水平。

　　由于硅納米晶帶隙高于晶硅，該黑硅電池的開路電壓也就高于相應(yīng)的平面硅電池。而且，發(fā)射極的梯度帶隙結(jié)構(gòu)還抑制了前表面電子和空穴的復(fù)合。由于短波長(zhǎng)范圍吸收度高，因此短波長(zhǎng)處的光伏響應(yīng)也較好。

　　據(jù)悉，這一相關(guān)研究成果已發(fā)表于《納米技術(shù)》，同時(shí)入選《納米技術(shù)選集》