STM32F10x Flash 模擬 EEPROM

作者：時間：2016-11-26 來源：網(wǎng)絡

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STM32F10x芯片本身沒有集成EEPROM，替代方案是用片上Flash來模擬EEPROM。Flash與EEPROM的區(qū)別主要是：一、EEPROM可以按位擦寫，而Flash只能按塊（頁）擦除；二、Flash的擦除壽命約1 萬次，較EEPROM低一個量級。ST網(wǎng)站有個Flash模擬EEPROM的范例：AN2594: EEPROM emulation in STM32F10x microcontrollers（包括源碼和文檔）。范例在保存修改的數(shù)據(jù)時，以寫入新數(shù)據(jù)來替代對原數(shù)據(jù)的修改，并使用兩個頁面輪流寫入，單頁寫滿后進行數(shù)據(jù)遷移，再一次性擦除舊頁面。這個策略可以有效降低Flash擦除次數(shù)。

　　不過，范例代碼只能保存固定大小的數(shù)據(jù)（16bits），雖然容易改成不同的固定大小，但實際用起來還是很不方便。我改寫了一下，新的特性包括：

本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201611/321584.htm

支持不同大小數(shù)據(jù)（字符數(shù)組、結構體等）的混合存儲；
增加對數(shù)據(jù)的校驗和（Checksum）檢查。

　　附件提供了源碼。使用方法很簡單，比如要保存一個字符數(shù)組title和一個point結構體：

#include"eeprom.h"

#defineTITLE_SIZE80

#defineTITLE_KEY1

#definePOINT_KEY2

typedefstruct{

floatx;

floaty;

floatz;

}Point;

chartitle[TITLE_SIZE]="eepromteststring.";

Pointpoint;

　　執(zhí)行必要的初始化操作后，就可以進行寫入和讀取：

uint16_tresult=0;

FLASH_Unlock();

EE_Init();

result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(TITLE_KEY,title,TITLE_SIZE);

result=memcpy_to_eeprom_with_checksum(POINT_KEY,&point,sizeof(point));

result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(title,TITLE_KEY,TITLE_SIZE);

result=memcpy_from_eeprom_with_checksum(&point,POINT_KEY,sizeof(point));

　　實現(xiàn)混合存儲的辦法，是給每個變量附加8字節(jié)的控制信息。因此，在存儲小數(shù)據(jù)時會有較大的空間損耗，而在存儲較大的數(shù)據(jù)結構時空間利用率更高（相對于范例）。代碼是針對STM32F103VE的實現(xiàn)。不同芯片需要對應修改頭文件中EEPROM_START_ADDRESS的定義：

#defineEEPROM_START_ADDRESS((uint32_t)0x0807F000)

附件：STM32F10x_EEPROM_Emulation.zip

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