sbit DQ = P3^4; //定義DS18B20總線I/O

//16進(jìn)制轉(zhuǎn)10進(jìn)制數(shù)

uchar code ditab[16] = {0x00,0x01,0x01,0x02,0x03,0x03,0x04,0x04,0x05,0x06,0x06,0x07,0x08,0x08,0x09,0x09};

void Delay_DS18B20(int num)
{
while(num--) ;
}


void Init_DS18B20(void)
{
unsigned char x=0;
DQ = 1; //DQ復(fù)位
Delay_DS18B20(8); //稍做延時(shí)
DQ = 0; //單片機(jī)將DQ拉低
Delay_DS18B20(80); //精確延時(shí)，大于480us
DQ = 1; //拉高總線
Delay_DS18B20(14);
x = DQ; //稍做延時(shí)后，如果x=0則初始化成功，x=1則初始化失敗
Delay_DS18B20(20);
}

unsigned char ReadOneChar(void)
{
unsigned char i=0;
unsigned char dat = 0;
for (i=8;i>0;i--)
{
DQ = 0; // 給脈沖信號(hào)
dat>>=1;
DQ = 1; // 給脈沖信號(hào)
if(DQ)
dat|=0x80;
Delay_DS18B20(4);
}
return(dat);
}

void WriteOneChar(unsigned char dat)
{
unsigned char i=0;
for (i=8; i>0; i--)
{
DQ = 0;
DQ = dat&0x01;
Delay_DS18B20(5);
DQ = 1;
dat>>=1;
}
}

unsigned int ReadTemperature(void)
{
unsigned char a=0;
unsigned char b=0;
unsigned int t=0;

unsigned char xiaoshu;
unsigned char tt=0;
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳過讀序號(hào)列號(hào)的操作
WriteOneChar(0x44); //啟動(dòng)溫度轉(zhuǎn)換
Init_DS18B20();
WriteOneChar(0xCC); //跳過讀序號(hào)列號(hào)的操作
WriteOneChar(0xBE); //讀取溫度寄存器
a=ReadOneChar(); //讀低8位
b=ReadOneChar(); //讀高8位

t=a&0x0f;

xiaoshu=ditab[t]; //溫度小數(shù)位

tt=(b<<4)|((a&0xf0)>>4); //個(gè)，十，百位數(shù)

t=tt*10+xiaoshu; //融入小數(shù)，使成為一體

//（如：tt=27℃，小數(shù)位為0.6℃，融入后為276℃。方便處理）
return(t); //返回溫度值
}