2.內(nèi)部存儲區(qū)

(1) 內(nèi)部ROM 0x0800_0000~0x0BFF_FFFF

(2) 內(nèi)部SRAM 0x0C00_0000~0x0FFF_FFFF

3.靜態(tài)存儲區(qū) 0x1000_0000~0x3FFF_FFFF

4.動態(tài)存儲區(qū) 0x4000_0000~0x6FFF_FFFF

S3C6410的物理內(nèi)存分成Memory和Pheriperal兩部分，地址范圍分別為0x0~0x6fffffff和0x7fffffff。系統(tǒng)通過 SPINE總線訪問Memory空間，通過PERI總線訪問Pheriperal空間。而為了適應(yīng)不同外設(shè)的訪問速度，又分別通過AHB總線訪問LCD、 Camera、Accelerator等高速外設(shè)，通過APB總線訪問iic、watchdog等低速外設(shè)。

3.2內(nèi)存
Memory，又叫主內(nèi)存，分為4大區(qū)域，分別是啟動鏡像區(qū)、內(nèi)部內(nèi)存區(qū)、靜態(tài)內(nèi)存區(qū)、動態(tài)內(nèi)存區(qū)。

啟動鏡像區(qū)物理地址為0x00000000~0x07ffffff，共128MB。這個區(qū)域的作用正如它的名字所述，是用來啟動系統(tǒng)的。但是這個范圍內(nèi)并沒有實際的存儲介質(zhì)與之對應(yīng)，只能在通過OM[4:0]選擇具體的啟動介質(zhì)后再把相應(yīng)介質(zhì)的物理地址映射到這個啟動區(qū)，比如說選擇了IROM啟動方式后，就把IROM所占的地址空間映射為0x00000000開始的空間。

內(nèi)部內(nèi)存區(qū)物理地址為0x08000000~0x0fffffff，共128MB。這個區(qū)域?qū)?yīng)著內(nèi)部的內(nèi)存地址，內(nèi)部的ROM和SRAM都是分布在這個 區(qū)間。其中，0x08000000~0x0bffffff對應(yīng)著內(nèi)部ROM，當(dāng)然實際上內(nèi)部的ROM也并沒有64MB這么多，只有32KB是有實際存儲介 質(zhì)的，這32KB是一個只讀區(qū)，放的是IROM方式下的啟動代碼，選擇IROM啟動的時候首先運行的 代碼就是這一部分，稱為BL0，這部分代碼由廠家固化。0x0c000000~0x0fffffff對應(yīng)內(nèi)部SRAM，實際可用的SRAM按照三星的手冊 是4KB，其實這就是用于nand flash啟動的Steppingstone（但是這個Steppingstone是8KB，這2者似乎有矛盾，不知道是不是我的理解不對）。

靜態(tài)內(nèi)存區(qū)物理地址為0x10000000~0x3fffffff，共6*128MB。這個區(qū)域用于訪問掛在外部總線上的設(shè)備，比如說SRAM、NOR flash、oneNand等。這個區(qū)域被分割為6個bank，每個bank為128MB，數(shù)據(jù)寬度最大支持16bit，每個bank通過 Xm0CS[5:0]來劃定。和S3C2410不 一樣的是，bank2~bank5能映射到nand flash、CF等非線性存儲器，這并不是說可以通過bank2~bank5的地址段就能直接訪問nand flash、CF內(nèi)部的地址，相反，當(dāng)映射到這些器件的時候這些bank的地址也不能再使用了，訪問這些非線性存儲器還是得通過Pheriperal空間 的AHB總線進(jìn)行，和S3C2410中的訪問方式是一樣的。不過有一個特例是，當(dāng)Xm0CS2被映射到nand flash的時候，Steppingstone的4KB（or 8K？）SRAM被映射到bank2開始的4KB，而在以nand flash方式啟動的時候bank2被映射到0x00000000開始的地方，實際上就是把Steppingstone映射到0x0000000了，這和 S3C2410的情況還是相似的。

動態(tài)內(nèi)存區(qū)物理地址為0x40000000~0x6fffffff，共3*256MB。其中第一個256MB為保留區(qū)，實際使用的動態(tài)內(nèi)存區(qū)為 0x50000000~0x6fffffff，又分為2個區(qū)間，分別占256MB，可以通過DMC的Xm1CS[1:0]來進(jìn)行著2個區(qū)間的選擇。這個內(nèi) 存區(qū)主要是擴(kuò)展DRAM，最大可以擴(kuò)展512MB的DRAM。