使用簡(jiǎn)介：

開發(fā)板 神舟王STM32F207開發(fā)板

問題描述：

在使用emwin的時(shí)候由于占用的變量較多，出現(xiàn)了STM32F207內(nèi)部RAM不夠用的尷尬局面，開發(fā)板自帶了4M的外部SRAM，因此考慮速度和存儲(chǔ)的平衡，使用芯片內(nèi)部RAM作為堆棧區(qū)使用，外部RAM則用來存儲(chǔ)其他變量

修改內(nèi)容：

啟動(dòng)文件即startup_stm32f2xx.s文件

1.添加標(biāo)志量：DATA_IN_ExtSRAM EQU 1 ;主要是方便控制切換使用內(nèi)部和外部RAM

2.修改棧區(qū)：IF DATA_IN_ExtSRAM == 1

__initial_sp EQU 0x20000000 + Stack_Size

ELSE

__initial_sp

ENDIF

3.在進(jìn)入main函數(shù)之前初始化外部RAM

有兩種初始化方式

第一種：在SystemInit內(nèi)初始化

SystemInit函數(shù)位于system_stm32f2xx.c文件內(nèi)

定義宏變量DATA_IN_ExtSRAM

這樣系統(tǒng)初始化時(shí)就會(huì)調(diào)用函數(shù)SystemInit_ExtMemCtl

修改SystemInit_ExtMemCtl函數(shù)內(nèi)容，即初始化FSMC RAM

第二種

在startup_stm32f2xx.s內(nèi) 調(diào)用main函數(shù)前先調(diào)用RAM初始化函數(shù)完成RAM的初始化

IMPORT __main

IMPORT SystemInit

IMPORT SRAM_Init

LDR R0, =SystemInit

BLX R0

LDR R0, =SRAM_Init

BLX R0

LDR R0, =__main

BX R0

ENDP

當(dāng)然還有最蛋疼的一種方式就是在startup_stm32f2xx.s初始化外部RAM 不過需要修改成匯編語言

最后就是修改MDK的配置 在option->target勾選上外部RAM

之后就可以嘗試定義一個(gè)大數(shù)組試試了