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    新聞中心

    STM32 外部 SRAM

    作者: 時(shí)間:2016-11-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
    STM32F103ZET6自帶了64K字節(jié)的SRAM,對(duì)一般應(yīng)用來(lái)說(shuō),已經(jīng)足夠了,不過(guò)在一些對(duì)內(nèi)存要求高的場(chǎng)合,STM32自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。比如跑算法或者跑GUI等,就可能不太夠用

    IS62WV51216簡(jiǎn)介

    本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201611/317049.htm

    IS62WV51216是ISSI(IntegratedSiliconSolution,Inc)公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K(512*16,即1M字節(jié))容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個(gè)特點(diǎn):

    l高速。具有45ns/55ns訪問(wèn)速度。

    l低功耗。

    lTTL電平兼容。

    l全靜態(tài)操作。不需要刷新和時(shí)鐘電路。

    l三態(tài)輸出。

    l字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。

    看看實(shí)現(xiàn)IS62WV51216的訪問(wèn),需要對(duì)FSMC進(jìn)行哪些配置。這里就做一個(gè)概括性的講解。步驟如下:

    1)使能FSMC時(shí)鐘,并配置FSMC相關(guān)的IO及其時(shí)鐘使能。

    要使用FSMC,當(dāng)然首先得開啟其時(shí)鐘。然后需要把FSMC_D0~15,F(xiàn)SMCA0~18等相關(guān)IO口,全部配置為復(fù)用輸出,并使能各IO組的時(shí)鐘。

    使能FSMC時(shí)鐘的方法:

    RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);

    對(duì)于其他IO口設(shè)置的方法前面講解很詳細(xì),這里不做過(guò)多的講解。

    2)設(shè)置FSMCBANK1區(qū)域3。

    此部分包括設(shè)置區(qū)域3的存儲(chǔ)器的工作模式、位寬和讀寫時(shí)序等。我們使用模式A、16位寬,讀寫共用一個(gè)時(shí)序寄存器。使用的函數(shù)是:

    voidFSMC_NORSRAMInit(FSMC_NORSRAMInitTypeDef*FSMC_NORSRAMInitStruct)

    3)使能BANK1區(qū)域3。

    使能BANK的方法跟前面LCD實(shí)驗(yàn)也是一樣的,這里也不做詳細(xì)講解,函數(shù)是:

    voidFSMC_NORSRAMCmd(uint32_tFSMC_Bank,FunctionalStateNewState);

    通過(guò)以上幾個(gè)步驟,我們就完成了FSMC的配置,可以訪問(wèn)IS62WV51216了,這里還需要注意,因?yàn)槲覀兪褂玫氖荁ANK1的區(qū)域3,所以HADDR[27:26]=10,故外部?jī)?nèi)存的首地址為0X68000000。

    1. //使用NOR/SRAM的 Bank1.sector3,地址位HADDR[27,26]=10
    2. //對(duì)IS61LV25616/IS62WV25616,地址線范圍為A0~A17
    3. //對(duì)IS61LV51216/IS62WV51216,地址線范圍為A0~A18
    4. #defineBank1_SRAM3_ADDR((u32)(0x68000000))
    5. //初始化外部SRAM
    6. voidFSMC_SRAM_Init(void)
    7. {
    8. FSMC_NORSRAMInitTypeDef FSMC_NORSRAMInitStructure;
    9. FSMC_NORSRAMTimingInitTypeDef readWriteTiming;
    10. GPIO_InitTypeDef GPIO_InitStructure;
    11. RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOD|RCC_APB2Periph_GPIOE|RCC_APB2Periph_GPIOF|RCC_APB2Periph_GPIOG,ENABLE);
    12. RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_FSMC,ENABLE);
    13. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF33; //PORTD復(fù)用推挽輸出
    14. GPIO_InitStructure.GPIO_Mode=GPIO_Mode_AF_PP;//復(fù)用推挽輸出
    15. GPIO_InitStructure.GPIO_Speed=GPIO_Speed_50MHz;
    16. GPIO_Init(GPIOD,&GPIO_InitStructure);
    17. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xFF83; //PORTE復(fù)用推挽輸出
    18. GPIO_Init(GPIOE,&GPIO_InitStructure);
    19. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0xF03F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
    20. GPIO_Init(GPIOF,&GPIO_InitStructure);
    21. GPIO_InitStructure.GPIO_Pin=0x043F; //PORTD復(fù)用推挽輸出
    22. GPIO_Init(GPIOG,&GPIO_InitStructure);
    23. readWriteTiming.FSMC_AddressSetupTime=0x00;//地址建立時(shí)間(ADDSET)為1個(gè)HCLK 1/36M=27ns
    24. readWriteTiming.FSMC_AddressHoldTime=0x00;//地址保持時(shí)間(ADDHLD)模式A未用到
    25. readWriteTiming.FSMC_DataSetupTime=0x03;//數(shù)據(jù)保持時(shí)間(DATAST)為3個(gè)HCLK 4/72M=55ns(對(duì)EM的SRAM芯片)
    26. readWriteTiming.FSMC_BusTurnAroundDuration=0x00;
    27. readWriteTiming.FSMC_CLKDivision=0x00;
    28. readWriteTiming.FSMC_DataLatency=0x00;
    29. readWriteTiming.FSMC_AccessMode=FSMC_AccessMode_A;//模式A
    30. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_Bank=FSMC_Bank1_NORSRAM3;// 這里我們使用NE3 ,也就對(duì)應(yīng)BTCR[4],[5]。
    31. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_DataAddressMux=FSMC_DataAddressMux_Disable;
    32. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryType=FSMC_MemoryType_SRAM;// FSMC_MemoryType_SRAM; //SRAM
    33. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth=FSMC_MemoryDataWidth_16b;//存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)寬度為16bit
    34. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_BurstAccessMode=FSMC_BurstAccessMode_Disable;// FSMC_BurstAccessMode_Disable;
    35. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalPolarity=FSMC_WaitSignalPolarity_Low;
    36. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_AsynchronousWait=FSMC_AsynchronousWait_Disable;
    37. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WrapMode=FSMC_WrapMode_Disable;
    38. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignalActive=FSMC_WaitSignalActive_BeforeWaitState;
    39. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteOperation=FSMC_WriteOperation_Enable;//存儲(chǔ)器寫使能
    40. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WaitSignal=FSMC_WaitSignal_Disable;
    41. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ExtendedMode=FSMC_ExtendedMode_Disable;// 讀寫使用相同的時(shí)序
    42. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteBurst=FSMC_WriteBurst_Disable;
    43. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_ReadWriteTimingStruct=&readWriteTiming;
    44. FSMC_NORSRAMInitStructure.FSMC_WriteTimingStruct=&readWriteTiming;//讀寫同樣時(shí)序
    45. FSMC_NORSRAMInit(&FSMC_NORSRAMInitStructure);//初始化FSMC配置
    46. FSMC_NORSRAMCmd(FSMC_Bank1_NORSRAM3,ENABLE);// 使能BANK3
    47. }
    48. //在指定地址開始,連續(xù)寫入n個(gè)字節(jié).
    49. //pBuffer:字節(jié)指針
    50. //WriteAddr:要寫入的地址
    51. //n:要寫入的字節(jié)數(shù)
    52. voidFSMC_SRAM_WriteBuffer(u8*pBuffer,u32 WriteAddr,u32 n)
    53. {
    54. for(;n!=0;n--)
    55. {
    56. *(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+WriteAddr)=*pBuffer;
    57. WriteAddr+=2;//這里需要加2,是因?yàn)镾TM32的FSMC地址右移一位對(duì)其.加2相當(dāng)于加1.
    58. pBuffer++;
    59. }
    60. }
    61. //在指定地址開始,連續(xù)讀出n個(gè)字節(jié).
    62. //pBuffer:字節(jié)指針
    63. //ReadAddr:要讀出的起始地址
    64. //n:要寫入的字節(jié)數(shù)
    65. voidFSMC_SRAM_ReadBuffer(u8*pBuffer,u32 ReadAddr,u32 n)
    66. {
    67. for(;n!=0;n--)
    68. {
    69. *pBuffer++=*(vu8*)(Bank1_SRAM3_ADDR+ReadAddr);
    70. ReadAddr+=2;//這里需要加2,是因?yàn)镾TM32的FSMC地址右移一位對(duì)其.加2相當(dāng)于加1.
    71. }
    72. }
    73. ////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
    74. //測(cè)試函數(shù)
    75. //在指定地址寫入1個(gè)字節(jié)
    76. //addr:地址
    77. //data:要寫入的數(shù)據(jù)
    78. voidfsmc_sram_test_write(u8data,u32 addr)
    79. {
    80. FSMC_SRAM_WriteBuffer(&data,addr,1);//寫入1個(gè)字節(jié)
    81. }
    82. //讀取1個(gè)字節(jié)
    83. //addr:要讀取的地址
    84. //返回值:讀取到的數(shù)據(jù)
    85. u8 fsmc_sram_test_read(u32 addr)
    86. {
    87. u8data;
    88. FSMC_SRAM_ReadBuffer(&data,addr,1);
    89. returndata;
    90. }



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