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            新聞中心

            PIC內(nèi)部EEPROM的操作

            作者: 時(shí)間:2016-11-11 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
            1.方法一:

            PIC內(nèi)部EEPROM的操作

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201611/316761.htm

            //--------------------------------------------------------
            //EEPROM字節(jié)寫(xiě)程序
            //功能:寫(xiě)一個(gè)字節(jié)到內(nèi)部EEPROM
            //入口:EEADR=地址
            //EEDATA=數(shù)據(jù)
            //--------------------------------------------------------
            void write_eeprom ( void )
            {
            //while ( WR )//等待上一次寫(xiě)操作結(jié)束
            //{
            //asm ("clrwdt");//喂狗
            //}
            EEPGD = 0 ; //設(shè)置訪問(wèn)目標(biāo)為EEPROM
            WREN = 1 ;//允許進(jìn)行寫(xiě)操作
            GIE = 0 ; //禁止中斷
            EECON2 = 0x55 ;
            EECON2 = 0xAA ;
            WR = 1 ; //啟動(dòng)一次寫(xiě)操作
            GIE = 1 ; //使能中斷
            WREN = 0 ;//關(guān)閉寫(xiě)操作
            }

            //--------------------------------------------------------
            //EEPROM字節(jié)讀程序
            //功能:從內(nèi)部EEPROM讀一個(gè)字節(jié)
            //入口:EEADR=地址
            //出口:EEDATA=數(shù)據(jù)
            //--------------------------------------------------------
            void read_eeprom( void )
            {
            EEPGD = 0 ; //設(shè)置訪問(wèn)目標(biāo)為EEPROM
            RD = 1 ; //啟動(dòng)一次讀操作
            }


            //--------------------------------------------------------
            //FLASH字節(jié)寫(xiě)程序
            //功能:寫(xiě)一個(gè)字節(jié)到內(nèi)部FLASH
            //入口:EEADRH,EEADR=地址
            //EEDATH,EEDATA=數(shù)據(jù)
            //--------------------------------------------------------
            void write_flash ( void )
            {
            EEPGD = 1 ; //設(shè)置訪問(wèn)目標(biāo)為FLASH
            WREN = 1 ;//允許進(jìn)行寫(xiě)操作
            GIE = 0 ; //禁止中斷
            EECON2 = 0x55 ;
            EECON2 = 0xAA ;
            WR = 1 ; //啟動(dòng)一次寫(xiě)操作
            asm ("nop") ;
            asm ("nop") ;
            GIE = 1 ; //使能中斷
            WREN = 0 ;//關(guān)閉寫(xiě)操作
            }

            //--------------------------------------------------------
            //FLASH字節(jié)讀程序
            //功能:從內(nèi)部FLASH讀一個(gè)字節(jié)
            //入口:EEADRH,EEADR=地址
            //出口:EEDATH,EEDATA=數(shù)據(jù)
            //--------------------------------------------------------
            void read_flash( void )
            {
            EEPGD = 1 ; //設(shè)置訪問(wèn)目標(biāo)為FLASH
            RD = 1 ; //啟動(dòng)一次讀操作
            asm ("nop") ;
            asm ("nop") ;

            }

            2.方法二:

            void WriteEE(unsigned char addr,unsigned char data)//寫(xiě)EEPROM
            {
            do{;}
            while(WR==1);//上一次寫(xiě)操作是否完成
            EEADR=addr;//EEPROM地址
            EEDATA=data;//準(zhǔn)備寫(xiě)入EEPROM的數(shù)據(jù)
            EEPGD=0;//指向EEPROM數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器
            WREN=1;//使能寫(xiě)操作
            EECON2=0x55;//設(shè)置通用參數(shù)
            EECON2=0xAA;//設(shè)置通用參數(shù)
            WR=1;//開(kāi)始寫(xiě)
            do{;}
            while(WR==1);//等待寫(xiě)操作完成
            WREN=0;//禁止寫(xiě)操作
            }
            //
            unsigned char ReadEE(unsigned char addr)//讀EEPROM
            {
            unsigned char num;
            do{;}
            while(RD==1);//上一次讀操作是否完成
            EEADR=addr;//EEPROM地址為00H
            EEPGD=0;//指向EEPROM數(shù)據(jù)儲(chǔ)存器
            RD=1;//開(kāi)始讀
            do{;}
            while(RD==1);//等待讀操作完成
            num=EEDATA;//讀出
            return(num);//返回讀出的數(shù)
            }

            說(shuō)明:兩個(gè)程序基本步驟是一致的。個(gè)中的差別是:

            1、一程序中更嚴(yán)密,其中增加了對(duì)WR和RD標(biāo)志位的判別,缺點(diǎn)是實(shí)時(shí)性較差。

            2、而二程序中沒(méi)有這個(gè)對(duì)WR和RD標(biāo)志位的判別。那是因二將該判別的動(dòng)作放在了上級(jí)程序中。也就是說(shuō),二在調(diào)用write_eeprom 函數(shù)之前,會(huì)先行判斷WR。確信上次寫(xiě)操作已經(jīng)結(jié)束后,才去調(diào)用新一次的寫(xiě)操作。這樣做的目的是為了系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性。

            3.方法三:

            PICC系統(tǒng)自帶“ PIC.H”文件中,已經(jīng)內(nèi)嵌了這兩個(gè)函數(shù)。!

            以下是“ PIC.H”文件中的內(nèi)容:

            /***********************************************************************/
            /****** EEPROM memory read/write macros and function definitions *******/
            /***********************************************************************/
            /* NOTE WELL:

            The macro EEPROM_READ() is NOT safe to use immediately after any
            write to EEPROM, as it does NOT wait for WR to clear. This is by
            design, to allow minimal code size if a sequence of reads is
            desired. To guarantee uncorrupted writes, use the function
            eeprom_read() or insert
            while(WR)continue;
            before calling EEPROM_READ().
            */
            #ifEEPROM_SIZE > 0
            #ifdef__FLASHTYPE
            // macro versions of EEPROM write and read
            #defineEEPROM_WRITE(addr, value)
            do{
            while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
            EECON1&=0x7F;CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
            WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
            if(CARRY)GIE=1;
            }while(0)
            #defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(EECON1&=0x7F),(RD=1),EEDATA)
            #else// else doesnt write flash
            #defineEEPROM_WRITE(addr, value)
            do{
            while(WR)continue;EEADR=(addr);EEDATA=(value);
            CARRY=0;if(GIE)CARRY=1;GIE=0;
            WREN=1;EECON2=0x55;EECON2=0xAA;WR=1;WREN=0;
            if(CARRY)GIE=1;
            }while(0)
            #defineEEPROM_READ(addr) ((EEADR=(addr)),(RD=1),EEDATA)
            #endif

            /* library function versions */
            extern void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);
            extern unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);
            #endif// end EEPROM routines



            關(guān)鍵詞: PIC內(nèi)部EEPRO

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