調(diào)試外部RAM，我是在CS0上外擴了一個64K的RAM，也就是地址從0X80000000開始。開始不知道REALVIEW的設(shè)置，所以總是不能讀寫RAM，沒有輸出信號，在KEIL下要做如下設(shè)置。

一、在“Options for Target Targe 1”下，選擇Asm菜單，在“Conditional Assembly Control Symbols”下的輸入框中填上EXTERNAL_MODE，然后按OK結(jié)束，

二、Startup.s這個文件也要做一定的改動。

EMC_SETUP EQU 1 ；使能外部RAM控制。

BCFG0_SETUP EQU 1 ；使能CS0控制。如果用到別的片選，則都要使能。
BCFG0_Val EQU 0x1000554A; ；

；此時要注意BCFG0這個寄存器的設(shè)置，要仔細看內(nèi)容，其分別定義了讀、寫、連續(xù)的時鐘周期，重要的是，如果是RAM，RVLE位一定要置1，別的要根據(jù)你RAM的速度，來設(shè)置一個合適的值，位29、28決定了RAM的寬度，8位、16位、32位等。

三、另一個設(shè)置就是比較重要的PINSEL2

PINSEL2_Val EQU 0x0F000914

的設(shè)置的為16位總線，A1-23地址線使能，使能CS0，OE ，WE；別的引腳則設(shè)置為了I/O，這個寄存器的位4、5應(yīng)該看明白，你選擇的是多少位的總線，然后就是看你需要的選擇了。

綜上，設(shè)置了這幾種寄存器，外部RAM就可以正常工作了。如果以上設(shè)置的不對，則可能沒有WE信號，也可能不產(chǎn)生CS0；下面是一個簡單的例子。

#define RAMADDR 0x80000000 //外部RAM的基址。

void ExternRam(void)
{
volatile unint *buf;
unint data[512];
unint i;
for (i=0x00;i<512;i++)
{
buf=(volatile unint *) (RAMADDR | i<<1);
*buf=i;
}
for (i=0x00;i<512;i++)
{
buf=(volatile unint *) (RAMADDR | i<<1);
data[i]=*buf;
}
}

如果你寫入的數(shù)據(jù)與讀出的數(shù)據(jù)一樣，那就說明設(shè)置的對了，調(diào)試時，最好用示波器看看WE，OE，CS0等信號是否正常。