4．1．FLASH 區(qū)域數(shù)據(jù)存儲。
用關(guān)鍵字 __flash 控制來存放， __ flash 關(guān)鍵字寫在數(shù)據(jù)類型前后效果一樣
__flash unsigned char a;//定義一個變量存放在flash空間
unsigned char __flash a;//效果同上
__flash unsigned char p[];//定義一個數(shù)組存放在flash空間
對于flash空間的變量的讀操作同SRAM數(shù)據(jù)空間的操作方法一樣，編譯器會自動用
LPM，ELPM 指令來操作。
例：
＃i nclude
__flash unsigned char p[];
__flash unsigned char a;
void main(void)
{PORTB=p[1];// 讀flash 數(shù)組變量的操作
PORTB=a;// 讀flash 變量的操作
}
由于在正常的程序中，flash 空間是只讀的，所以沒有賦值的變量是沒有意義的。定義常數(shù)在flash 空間，只要給變量賦與初值就可以了。由于常數(shù)在flash空間的地址是隨機分配的，讀取變量才可以讀取到常數(shù)值。
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IAR-AVR –C 編譯器簡要指南
__flash unsigned char a=9;//定義一個常數(shù)存放在EEPROM空間。
__flash unsigned char p[]={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在flash 空間。
例：
＃i nclude
__flash unsigned char p[]={1,2,3,4,5,6,7,8};
__flash unsigned char a=9;
void main(void)
{
PORTB=a;//讀取flash 空間值9
PORTC=p[0]; //讀取flash 空間值
}

4.1.2flash 空間絕對地址定位：
__flash unsigned char a @ 0x8;//定義變量存放在flash 空間0X08單元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定義數(shù)組存放在flash 空間，開始地址為0X22單元
__flash unsigned char a @ 0x08=9;//定義常數(shù)存放在flash 空間0X08單元
__flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在EEPROM空間開始地址為0X22單元
由于常數(shù)在flash 空間的地址是已經(jīng)分配的，讀取flash 空間值可以用變量和地址。

4．2．與 __flash 有關(guān)的指針操作。 __flash 關(guān)鍵字控制指針的存放和類型。
4.2.1指向flash 空間的指針flash 指針（控制類型屬性）
unsigned char __flash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，8位。
unsigned int __flash * p;//定義個指向flash 空間地址的指針，16位。
unsigned int __farflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned int __hugeflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned char __flash * p;//定義一個指向flash 空間地址的指針，指針本身存放在SARM中。P的值代表flash 空間的某一地址。*p表示flash 空間該地址單元存放的內(nèi)容。例：假定p=10,表示flash空間地址10單元，而flash M空間10單元的內(nèi)容就用*p來讀取。
例：
＃i nclude
char __flash t @ 0x10 ;
char __flash *p ;
void main(void)
{
PORTB=*p;//讀取flash 空間10單元的值
PORTB=*（p+3）;//讀取flash 空間0x13單元的值
}

4.2.2．存儲于flash 空間的指針數(shù)據(jù)指針
就象存儲與flash 空間的數(shù)據(jù)一樣控制存儲屬性
__flash unsigned char * p; //定義指向SARMM空間地址的指針，指針本身存放在flash 中。

4．3．控制數(shù)據(jù)和指針存放的__flash 定義必須是全局變量，控制類型屬性（好像只有指針）可以是局部變量。
＃i nclude
__flash unsigned char p;//控制存放
void main(void)
{
unsigned char __flash* t;//控制屬性
PORTB=p;
PORTB=*t;
}

4．4． __root 關(guān)鍵字保證沒有使用的函數(shù)或者變量也能夠包含在目標(biāo)代碼中.
定義存放在__flash 空間的數(shù)據(jù)在程序編譯時會自動生成代碼嵌入到flash代碼中，對于程序沒有使用也要求編譯的數(shù)據(jù)（比如可以在代碼中嵌入你的版本號，時間等）必須加關(guān)鍵字__root 限制。
例：
＃i nclude
__root __flash unsigned char p @ 0x10 =0x56;
void main(void)
{}
程序沒有使用P變量，編譯也會生成該代碼。
:020000020000FC
:1000000016C018951895189518951895189518955F
:10001000569518951895189518951895189518953A
:10002000189518951895089500008895FECF0FE94A
:100030000DBF00E00EBFC0E8D0E003D0F4DFF4DF76
:06004000F3CF01E008957A
:0400000300000000F9
:00000001FF

4．5．flash 操作宏函數(shù)：在comp_a90.h intrinsics.h頭文件里有詳細說明。flash 空間具正常情況下有只讀性能，對于讀flash 數(shù)據(jù)編譯器會自動編譯對應(yīng)的LPM,ELPM指令，但對于flash 空間的自編程寫命令SPM就沒有對應(yīng)的C指令了，這里不講解詳細的自編程方法，只是講解一下對flash 的讀寫函數(shù)。
直接在程序中讀取flash 空間地址數(shù)據(jù)：要包含intrinsics.h頭文件
__load_program_memory(const unsigned char __flash *);//64K空間
//從指定flash 空間地址讀數(shù)據(jù)。該函數(shù)在intrinsics.h頭文件里有詳細說明。
在comp_a90.h文件有它的簡化書寫_LPM(ADDR)。注意匯編指令LPM Rd ,Z中的Z是一個指針。所以用(const unsigned char __flash *)來強制轉(zhuǎn)換為指向flash空間地址指針。故該條宏函數(shù)的正確寫法應(yīng)該如下：
__load_program_memory(（const unsigned char __flash *）ADDR);
例：
＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{PORTB=__load_program_memory((const unsigned char __flash *)0x12);
}
該條函數(shù)書寫不方便，在comp_a90.h文件有簡化：
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory (ADDR)稍微方便一點。改為
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory ((const unsigned char
__flash *)ADDR)就更方便了，直接使用數(shù)據(jù)就可以了。
例：
＃i nclude
＃i nclude
＃i nclude
void main(void)
{
PORTB=__LPM(0x12);// 從指定flash 空間地址單元0x12中讀數(shù)據(jù)
}
__extended_load_program_memory(const unsigned char __farflash *);
//128K空間_ELPM(ADDR); //128K空間
參照上面的理解修改可以書寫更簡單。

4.6.自編程函數(shù)：
_SPM_GET_LOCKBITS()；//讀取縮定位
_SPM_GET_FUSEBITS()；//讀取熔絲位
_SPM_ERASE(Addr)；//16位頁擦除
_SPM_FILLTEMP(Addr,Word)；//16位頁緩沖
_SPM_PAGEWRITE(Addr；)//16位頁寫入
_SPM_24_ERASE(Addr)； //24位頁擦除
_SPM_24_FILLTEMP(Addr,Data)； //24位頁緩沖
_SPM_24_PAGEWRITE(Addr) //24位頁寫入