AVR熔絲位配置詳解
加入技術交流群
AVR Studio 中 STK500 處理熔絲位有巨大的優(yōu)勢：它是以功能組合讓用戶配置。 這種方式與小馬(PnoyProg2000,SL-ISP)相比，具有以下的優(yōu)勢(優(yōu)勢是如此明顯，可以用“巨大優(yōu)勢”來形容)：
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201611/316282.htm- 有效避免因不熟悉熔絲位讓芯片鎖死 (這是初學者的惡夢)， 筆者曾經鎖死過三片Atmega16。
- 不需要靠記憶與查文檔，就能配置熔絲位(這也是初學者的惡夢)
- 動手之前：請你一定弄清楚了，你這樣改會有什么后果，除非你有很多錢不在乎多鎖死幾個芯片。備份你的熔絲位狀態(tài)，在點擊Program之前再次檢查熔絲位設置正確與否，不要誤點了某項而沒有注意到。
由于ISP下載需要芯片本身提供時鐘信號。一定注意，如果沒有接外部晶振，一定不能編程熔絲位使用外部晶振。一旦那樣做，就不能再進入編程了，也就是芯片被鎖死。
建議新手不要隨意設置芯片的熔絲位，等對熔絲位比較了解了再進行操作。
當芯片鎖死已成事實，只要能夠為芯片提供相對應的時鐘源即可。如選擇了Ext. RC Osc而又沒有外部 RC(阻容) 振蕩器時，可參考手冊的接一個很簡單的RC振蕩電路！再將熔絲位配置改回正確的配置就可搞定！
通過下圖的方法打開連接：
使用操作界面如下： (注意：下圖中，打勾的表示選中，代表0。沒有打勾的表示1)。
上圖的資料有很多相關項，你需要認識以下的代碼，以理解意思。英文翻譯說明如下：
| 英文 | 中文 |
| On-Chip Debug Enabled | 片內 調試 使能 |
| JTAG Interface Enabled | JTAG 接口 使能 |
| Serial program downloading (SPI) enabled | 串行編程下載(SPI) 使能 (ISP下載時該位不能修改) |
| Preserve EEPROM memory through the Chip Erase cycle; | 芯片擦除時EEPROM的內容保留 |
| Boot Flash section size=xxxx words | 引導(Boot)區(qū)大小為xxx個詞 |
| Boot start address=$yyyy; | 引導(Boot)區(qū)開始地址為 $yyyy |
| Boot Reset vectorEnabled | 引導(Boot)、復位 向量 使能 |
| Brown-out detectionlevel at VCC=xxxx V; | 掉電檢測的電平為 VCC=xxxx 伏 |
| Brown-out detectionenabled; | 掉電檢測使能 |
| Start-up time: xxx CK + yy ms | 啟動時間 xxx 個時鐘周期 + yy 毫秒 |
| Ext. Clock; | 外部時鐘 |
| Int. RC Osc. | 內部 RC(阻容) 振蕩器 |
| Ext. RC Osc. | 外部 RC(阻容) 振蕩器 |
| Ext. Low-Freq. Crystal; | 外部 低頻 晶體 |
| Ext. Crystal/Resonator Low Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 低頻 |
| Ext. Crystal/ResonatorMedium Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 中頻 |
| Ext. Crystal/Resonator High Freq | 外部晶體/陶瓷振蕩器 高頻 |
注：以上中文是對照 ATmega16的中、英文版本數據手冊而翻譯。盡量按照了官方的中文術語。
應用舉例：
比如我們想使用片內的RC振蕩(即不需要接晶振)，可以選擇選擇下面三者之一：
- Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 0 ms;
- [CKSEL=0100 SUT=00] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 4 ms;
- [CKSEL=0100 SUT=01] Int. RC Osc. 8 MHz; Start-up time: 6 CK + 64 ms; [CKSEL=0100 SUT=10]
如圖：內部1M晶振，默認情況典型設置。（兩個圖分別為上下兩部分，沒有顯示的部分均為不選中狀態(tài)。）
下圖顯示的是選擇內部晶振，1 Mhz RC
比如我們想使用外部7.3728M晶振，可以選擇選擇下面三者之一：
- Ext. Crystal/ResonatorHigh Freq.;
- Start-up time: 258 CK + 4 ms;
- [CKSEL=1110 SUT=00] 或后面與Ext. Crystal/ResonatorHigh Freq.;.... 有關的選擇。
如下兩圖：7.3728M晶振典型融絲位（及本站的開發(fā)板使用時候的典型設置）
如果你在使用過程中遇到什么問題，歡迎討論，http://bbs.avrvi.com。
后記：說說Mega128的熔絲位
ATmega128是avr系列中一款高性能的芯片，設計的時候兼容M103模式，但是這個M103模式經常害人?；诖?，說說ATmega128的熔絲位，順便說說其他的功能。
默認情況下M103模式是選中的，應該將其去掉；晶振是內部1M晶振，如果你使用外部晶振，應該進行修改。M128可以開啟硬件的看門狗，選中此項，看門狗不需要程序初始化，只需要程序里面喂狗就可以了。
默認熔絲第一部分
M103兼容模式，使能JTAG，使能SPI，Bootloader區(qū)大小4096，未使能BOOT。
默認熔絲第二部分
DOD為2.7V，內部1M晶振。
下面是本站使用M128開發(fā)板的典型設置，M103模式取消，使用M128模式，使用外部7.3728M晶振。
典型熔絲第一部分（只說修改部分）
去掉了M103，從而使用M128模式。
典型熔絲第二部分
選擇最后一項，即使用外部高頻晶振。
再次提醒大家，往芯片里燒寫程序前，一定要檢查是否正確設置熔絲位（時鐘源）。
評論