以下內(nèi)容根據(jù)mega8的英文手冊(cè)翻譯，希望對(duì)大家有所幫助。如發(fā)現(xiàn)錯(cuò)誤，懇請(qǐng)大家指正。
mega8熔絲位：
1：未編程（不選中）
0：編程（選中）
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熔絲位說(shuō)明缺省設(shè)置
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RSTDISBL:復(fù)位或I/O功能選擇11：復(fù)位功能；0：I/O功能（PC6）
WDTON:看門(mén)狗開(kāi)關(guān)11：看門(mén)狗打開(kāi)（通過(guò)WDTCR允許）；0：看門(mén)狗禁止
SPIEN:SPI下載允許01：ISP下載禁止；0：ISP下載允許（注：當(dāng)使用SPI編程時(shí)，該項(xiàng)不可用）
EEAVE:燒錄時(shí)EEPROM數(shù)據(jù)保留11：不保留；0：保留
BODEN:BOD功能控制11：BOD功能禁止；0：BOD功能允許
BODLEVEL:BOD電平選擇11：2.7V電平；0：4.0V電平
BOOTRST:復(fù)位入口選擇11：程序從0x0000地址開(kāi)始執(zhí)行；0：程序從引導(dǎo)區(qū)確定的入口地址開(kāi)始執(zhí)行
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BOOTSZ1/0:引導(dǎo)區(qū)程序大小及入口00
00：1024Word/0xc00；
01：512Word/0xe00；
10：256Word/0xf00；
11：128Word/0xf80
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BLB02/01:程序區(qū)指令位選擇11
11：SPM和LPM指令都允許執(zhí)行
10：SPM指令禁止寫(xiě)程序區(qū)
01：引導(dǎo)區(qū)LPM指令禁止讀取程序區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在引導(dǎo)區(qū)，則禁止該中斷在程序區(qū)執(zhí)行。
00：SPM指令禁止寫(xiě)程序區(qū)；引導(dǎo)區(qū)LPM指令禁止讀取程序區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在引導(dǎo)區(qū)，則禁止該中斷在程序區(qū)執(zhí)行。
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BLB12/11:引導(dǎo)區(qū)指令位選擇11
11：SPM和LPM指令都允許執(zhí)行
10：SPM指令禁止寫(xiě)引導(dǎo)區(qū)
01：程序區(qū)LPM指令禁止讀取引導(dǎo)區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在程序區(qū)，則禁止該中斷在引導(dǎo)區(qū)執(zhí)行。
00：SPM指令禁止寫(xiě)引導(dǎo)區(qū)；程序區(qū)LPM指令禁止讀取引導(dǎo)區(qū)內(nèi)容；如果中斷向量定義在程序區(qū)，則禁止該中斷在引導(dǎo)區(qū)執(zhí)行。
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LB2/1:程序區(qū)加密位選擇11
11：未加密
10：程序和EEPROM編程功能禁止，熔絲位鎖定
00：程序和EEPROM編程及校驗(yàn)功能禁止，熔絲位鎖定
（注：先編程其他熔絲位，再編程加密位）
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CKSEL3/0:時(shí)鐘源選擇0001
CKOPT:晶振選擇1
SUT1/0:復(fù)位啟動(dòng)時(shí)間選擇10
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CKSEL3/0＝0000：外部時(shí)鐘，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1管腳對(duì)GND接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
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CKSEL3/0＝0001－0100：已經(jīng)校準(zhǔn)的內(nèi)部RC振蕩，CKOPT總為1
0001：1.0M
0010：2.0M
0011：4.0M
0100：8.0M
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CKSEL3/0＝0101－1000：外部RC振蕩，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1管腳對(duì)GND接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
0101：<0.9M
0110：0.9-3.0M
0111：3.0-8.0M
1000：8.0-12.0M
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CKSEL3/0＝1001：外部低頻晶振，CKOPT＝0：允許芯片內(nèi)部XTAL1/XTAL2管腳對(duì)GND各接一個(gè)36PF電容；CKOPT＝1：禁止該電容
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CKSEL3/0＝1010－1111：外部晶振，陶瓷振蕩子，CKOPT＝0：高幅度振蕩輸出；CKOPT＝1：低幅度振蕩輸出
101X：0.4-0.9M
110X：0.9-3.0M
111X：3.0-8.0M
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SUT1/0:復(fù)位啟動(dòng)時(shí)間選擇
當(dāng)選擇不同晶振時(shí)，SUT有所不同。