STM32的FLASH簡單應用
主存儲塊:小容量產品 4K×64位
中容量產品 16K×64位
大容量產品 64K×64位
信息塊: 258×64位
閃存模塊組織織:
中容量(每頁1K)和大容量(每頁2K)的參照數據手冊。
閃存存儲器被組織成32位寬的存儲器單元,可以存放代碼和數據常數。每一個閃存模塊都有一個特定的啟始地址。
此次測試目的在于利用閃存存儲器存放數據,并不是實現程序燒錄功能,所以,只關注存儲器的讀寫,保護功能留待日后再研究。
下面的例子是從0x08008204的地址中讀取數據dat,把數據通過串口發(fā)送到終端查看,然后修改該地址的數據,再送到終端查看,對照前后兩次的數據是否與預期值相符。先看例子:
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
uint32_t addr = 0x08008204; // 地址
uint32_t dat;
FLASH_Unlock(); // 解除閃存鎖
dat = *(uint32_t *)addr; // 讀指定地址的數據
send_data(dat); // 把數據送到串口
dat = *(uint32_t *)addr; // 讀指定地址的數據
send_data(dat); // 把數據送到串口
dat+=0x10;
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除頁,輸入頁起始地址
FLASH_ProgramWord(addr,dat); // 對指定地址寫數據
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35); // 對頁32寫保護,有這一句下次就寫不入了
FLASH_Lock(); // 鎖住閃存
send_data(dat); // 前后數據對照
FLASH_ErasePage(0x08008000); // 擦除頁,輸入頁起始地址
FLASH_ProgramWord(addr,dat); // 對指定地址寫數據
dat = *(uint32_t *)addr;
FLASH_EnableWriteProtection(FLASH_WRProt_Pages32to35); // 對頁32寫保護,有這一句下次就寫不入了
FLASH_Lock(); // 鎖住閃存
send_data(dat); // 前后數據對照
分析:
本例子基于64K的中容量產品,每頁是1K字節(jié),0x08008204屬于第32頁。關于FLASH_ErasePage函數的輸入值,只要是第32頁內的地址都可以。
要注意的是,閃存在寫數據前必須先進行擦除,而且只能頁擦除,不能單字節(jié)擦除。至于為什么,查看閃存的內部結構,這里不多說。
評論