編程的基本思想，根據(jù)白皮書(shū)（ELAN的官方說(shuō)明書(shū)，咱們習(xí)慣的叫法）R0是間接尋址，R4是RAM選擇，根據(jù)這兩個(gè)的組合就可以完成操作。具體操作和說(shuō)明可以參考白皮書(shū)。

hint： 根據(jù)我的理解，這里其實(shí)可以很簡(jiǎn)單的，只需要知道，R4放的是寄存器的地址，R0是放對(duì)應(yīng)的那個(gè)寄存器的數(shù)據(jù)，就OK了，例如

MOV A,@0X10

MOV R4,A

MOV A,@0X11

MOV R0,A

根據(jù)hint里面說(shuō)的，R4放地址，看前兩句，將 0x10移入R4，對(duì)了，表示地址，表示 0x10號(hào)寄存器，而后面將0x11移入R0，這個(gè)就是數(shù)據(jù)，放在什么地方？就是放在當(dāng)前R4指向的寄存器里面，也就是說(shuō) 0x10地址放的數(shù)據(jù)是 0x 11，可能開(kāi)始看有點(diǎn)抽象，不過(guò)相信我，那是很簡(jiǎn)單的東西。

下面的程序都是按照這種思想來(lái)做的 EM78P156 的RAM從 0x10 ～ 0x3f ，如果153的話只有 0x2f，修改一下就行了，而259/260 468 的RAM比較多，ELAN 是以bank來(lái)處理的，也就是分頁(yè)處理，所以在清空的時(shí)候切換一下bank就可以了，關(guān)于bank的操作，看白皮書(shū)，說(shuō)到低就是對(duì)R4最高兩位的操作而已。

有問(wèn)題的話歡迎回帖子，或者發(fā)我郵件 [email protected]

當(dāng)然如果有更好的思想，或者我的程序里面犯錯(cuò)誤的話，非常歡迎大家指出，大家共同討論，共同學(xué)習(xí)和進(jìn)步，在下不吝賜教。

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; 適用于 em78p156 & 153

; 如果Em78P153S 將 0x3f 改成 0x2f就可以了

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clear_all_ram:

mov a,@0x10 ; 開(kāi)始地址

mov r4,a

clr_ram:

clr r0 ; 清空內(nèi)容

inc r4 ; 地址加1

mov a,@0x3f ; 是否達(dá)到最大的地址 ，bank最大為0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram ; 是的話推出，不是的話繼續(xù)循環(huán)

ret

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; 適用于 em78p259/260 等只有2個(gè)bank的mcu

; 先做一下宏定義,不同的mcu宏定義可能不同，注意修改一下

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;-------------------------macro definition--------------------------

bank0 macro

bc 0x04,6 ; R4 的第六位決定是bank0 還是bank1

endm

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bank1 macro

bs 0x04,6

endm

;----------------------clear rams of all banks----------------------

clear_all_ram:

mov a,@0x10

mov r4,a

bank0

call clr_ram

bank1

call clr_ram

ret

clr_ram:

clr r0

inc r4

mov a,@0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram

mov a,@0x10

mov r4,a

ret

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; 適用于 em78p468 4個(gè)bank , 而且本身有bank指令不用宏定義

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;----------------------clear rams of all banks----------------------

clear_all_ram:

mov a,@0x10

mov r4,a

bank 0

call clr_ram

bank 1

call clr_ram

bank 2

call clr_ram

bank 3

call clr_ram

jmp clr_ram_end

clr_ram:

clr r0

inc r4

mov a,@0x3f

and a,r4

jbs psw,z

jmp clr_ram

mov a,@0x10

mov r4,a

clr_ram_end:

ret