改進(jìn)型雙電源光電耦合上管驅(qū)動(dòng)電路

在上述雙電源光電耦合上管驅(qū)動(dòng)電路方案中，使用光耦的輸出直接驅(qū)動(dòng)MOS管，這樣會(huì)使輸出波形嚴(yán)重變形，尤其是波形的下降沿比較緩慢，這主要是由MOS管的G極和s極之間的電容引起的。輸出波形為高電平時(shí)，給G和s之間的電容充電，使波形上升略緩慢；輸出波形變低時(shí)，G和s之間的電容通過(guò)Rl放電，使MOS管的G極電位下降緩慢，導(dǎo)致了波形下降沿劇烈變形。鑒于MOS管G極和s極之間存在的電容是無(wú)法消除的，在借鑒了單片機(jī)口線(xiàn)上拉驅(qū)動(dòng)電路的基礎(chǔ)上，我們改進(jìn)了上述的驅(qū)動(dòng)方案，改進(jìn)型方案如圖6所示。

圖6 改進(jìn)型雙電源光電耦合上管驅(qū)動(dòng)電路
Fig．6 Advanced H-bridge with Double Power Supplies and Optoisolator

在改進(jìn)方案中，光耦的輸出驅(qū)動(dòng)Ql，Q2組成的差動(dòng)電路，再由差動(dòng)電路輸出驅(qū)動(dòng)MOS管。由于三極管的極間電容很小，光耦的輸出波形變形就很??；并且差動(dòng)管的驅(qū)動(dòng)能力很強(qiáng)，驅(qū)動(dòng)MOS管時(shí)可以使信號(hào)變形很小。

這種驅(qū)動(dòng)電路仍然使用了光耦作為兩路電源系統(tǒng)的隔離接口，由于光耦的耦合速度受到限制不可能很快，因此這種方案在PWM頻率較高時(shí)，波形也會(huì)發(fā)生部分變形。頻率越高變形越多，如圖7為PWM頻率10 k時(shí)的波形失真，圖8為PWM頻率20 k時(shí)的波形失真。由圖8可以發(fā)現(xiàn)，即使在20 k頻率時(shí)，輸出波形相比輸入波形也只發(fā)生了很小失真，因此這種方案在EPS上管驅(qū)動(dòng)中完全適用。

圖8 改進(jìn)型驅(qū)動(dòng)電路的信號(hào)畸變(頻率20 k)