這幾年國產(chǎn)芯片替代概念推動了國內半導體公司的加速發(fā)展。除了處理器芯片外，存儲器的發(fā)展也得包括政府、市場資本、行業(yè)巨頭廠商的高度關注。不過，受制于技術等原因，全球90%的DRAM市場份被三星、海力士和美光三家廠商占據(jù)。 現(xiàn)有DRAM的最關鍵技術是電容存儲單元，它不僅帶來了特有的制造挑戰(zhàn)，還被大量專利所保護。

　　國內廠商想要有所突破，除了加大投入和研發(fā)外，一定程度也需要外力支持。近日，半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(IP)產(chǎn)品領先提供商Kilopass 首席執(zhí)行官Charlie Cheng 現(xiàn)身北京向媒體介紹公司的最新技術。

　　據(jù)了解， Kilopass科技有限公司是嵌入式非易失性存儲器(NVM)知識產(chǎn)權(IP)技術的領導者。其商業(yè)模式和在前一段時間軟銀拿數(shù)百億美金收購的ARM一樣，都是采用為芯片設計和制造公司提供作為設計單元組件的“知識產(chǎn)權”又稱IP產(chǎn)品。

　　目前，Kilopass擁有專利的技術暨一次性可編程(OTP)NVM解決方案，擁有可擴展到各種先進CMOS工藝制程的無限容量，它們可被移植到每一家重要的代工廠和整合器件制造商(IDM)，且滿足了市場對更高的集成度、更高的密度、更低的成本、低功耗管理、更高的可靠性和更完善的安全性等方面的需求。

　　當前，Kilopass 的技術已被超過170家企業(yè)客戶所采用，至今已累計售出100億塊包含Kilopass技術的芯片，涉及400多種芯片設計，應用范圍涵蓋了工業(yè)、汽車、消費電子產(chǎn)品、移動設備、模擬和混合信號以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等。

　　在此次會議上，Charlie Cheng 宣布推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。

　　晶閘管是一種結構復雜的電子器件，在電學上等效于一對交叉耦合的雙極型晶體管。由于鎖存的形成，這種結構非常適合存儲器;與當前基于電容的DRAM相比，晶閘管內存不需要刷新。晶閘管于20世紀50年代被發(fā)明，之前人們曾屢次嘗試將其應用于SRAM市場，但都未能成功。

　　Kilopass的VLT通過垂直方式實現(xiàn)晶閘管架構，從而使存儲單元更加緊湊。緊湊的結構加上所需的物理器件，構造出制造工藝簡單的交叉點內存，這將帶來一項與DDR標準兼容，并且比當前頂尖的20納米DRAM制造成本低45%的新技術。

　　此外，因為VLT不需要復雜且高功耗的刷新周期，基于VLT的DDR4 DRAM將待機功耗降低了10倍，可降低到50fA/bit以下，且仍將性能提高15%。最為關鍵的是，VLT避開了傳統(tǒng)DRAM制造中最大的挑戰(zhàn)，即溝電容的制造，從而規(guī)避了相關的專利沖突，這一點具有很重要的戰(zhàn)略意義。

　　Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng表示，“我們的VLT技術是一項真正具有顛覆性的技術，運用它我們的被授權商能夠迅速高效地為市場提供與JEDEC標準完全兼容的DRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品在功耗和成本上將具有顯著優(yōu)勢，同時也免去了現(xiàn)有DRAM制造流程中構建電容的困擾。”

　　VLT存儲單元的運行和器件測試已于2015年完成，測試結果與器件仿真系統(tǒng)TCAD具有優(yōu)異的關聯(lián)性。一塊完整的內存測試芯片已于5月份成功流片，早期芯片測試正在進行當中。

　　供貨方面，現(xiàn)在已可以向數(shù)量有限的特許受讓人提供VLT DRAM技術，用于20nm到31nm工藝技術節(jié)點。Kilopass已使用其突破性的TCAD模擬器，在所有的半導體制造工藝細節(jié)上對這兩個節(jié)點進行了詳盡的模擬，新一代10nm技術的驗證有望在2017年完成。