在线看毛片网站电影-亚洲国产欧美日韩精品一区二区三区,国产欧美乱夫不卡无乱码,国产精品欧美久久久天天影视,精品一区二区三区视频在线观看,亚洲国产精品人成乱码天天看,日韩久久久一区,91精品国产91免费

<menu id="6qfwx"><li id="6qfwx"></li></menu>
    1. <menu id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></menu>

      <label id="6qfwx"><ol id="6qfwx"></ol></label><menu id="6qfwx"></menu><object id="6qfwx"><strike id="6qfwx"><noscript id="6qfwx"></noscript></strike></object>
        1. <center id="6qfwx"><dl id="6qfwx"></dl></center>

            新聞中心

            EEPW首頁(yè) > 網(wǎng)絡(luò)與存儲(chǔ) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

            VLT技術(shù) 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局

            作者: 時(shí)間:2016-10-17 來(lái)源:工商時(shí)報(bào) 收藏

              10月11日,Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術(shù),簡(jiǎn)稱技術(shù)。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱,該技術(shù)集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點(diǎn)于一身,有可能顛覆目前的產(chǎn)業(yè)格局。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201610/311403.htm

              最適用于云計(jì)算/服務(wù)器市場(chǎng)的技術(shù)

              Charlie Cheng指出,整體市場(chǎng)較為穩(wěn)定,未來(lái)隨著PC、手機(jī)等方面的市場(chǎng)需求萎縮,新的增長(zhǎng)點(diǎn)將出現(xiàn)在云計(jì)算/服務(wù)器等市場(chǎng)領(lǐng)域。然而當(dāng)前的DRAM技術(shù)用于該市場(chǎng)領(lǐng)域面臨著功耗太高的問(wèn)題。

              當(dāng)前DRAM技術(shù)的存儲(chǔ)單元,基本的結(jié)構(gòu)是1個(gè)晶體管搭配一個(gè)電容器(1T1C)。這種存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)目前只能做到20nm工藝,受制于電容器的尺寸和電容量,DRAM的尺寸縮小再往下走非常困難。

              同時(shí),因?yàn)檩^小的晶體管帶來(lái)更多的漏電流,且較小的電容器結(jié)構(gòu)擁有更少的電容量,這將導(dǎo)致兩次刷新之間的間隔時(shí)間必須縮短。由于刷新周期頻率的加快,16Gb DDR DRAM中高達(dá)20%的原始帶寬將丟失,這給多核/多線程服務(wù)器中的CPU帶來(lái)負(fù)擔(dān),使CPU必須擠壓每一點(diǎn)兒性能來(lái)保持系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)力。

              對(duì)于在預(yù)計(jì)工作溫度在37.5攝氏度下的手機(jī)、PC等市場(chǎng)領(lǐng)域,傳統(tǒng)的DRAM技術(shù)功耗情況影響不大。但對(duì)于常年處于80攝氏度以上高溫環(huán)境的服務(wù)器來(lái)說(shuō),功耗的降低至關(guān)重要。

              Kilopass開(kāi)發(fā)的技術(shù),則是通過(guò)垂直方式實(shí)現(xiàn)晶閘管架構(gòu),形成鎖存,徹底摒棄了傳統(tǒng)DRAM需要的電容。因此,不再需要刷新周期,也不存在漏電,性能利用率可以達(dá)到100%,同時(shí)可以清晰地區(qū)分開(kāi)“0”和“1”的信號(hào)。

              “與目前最主流的DRAM技術(shù)相比,技術(shù)與現(xiàn)有的DDR標(biāo)準(zhǔn)兼容,可以將尺寸縮小近30%,待機(jī)功耗降低10倍,性能提高15%,晶圓光照加工步驟減少三分之一,成本降低45%。”

              Charlie Cheng告訴記者。他表示,VLT采用的工藝技術(shù)與邏輯CMOS的工藝兼容,也不需要采用新的材料,對(duì)企業(yè)原有的制造產(chǎn)線并不需要進(jìn)行太多的更改就可以生產(chǎn)基于VLT技術(shù)的DRAM產(chǎn)品,還可以利用模擬器軟件調(diào)整技術(shù)和良率。

              據(jù)了解,VLT存儲(chǔ)單元的運(yùn)行和器件測(cè)試已于2015年完成,一塊完整的內(nèi)存測(cè)試芯片已于5月份成功流片,早期芯片測(cè)試正在進(jìn)行當(dāng)中,新一代10nm技術(shù)的驗(yàn)證有望在2017年完成。

              中國(guó)發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的第二條路?

              Charlie Cheng指出,VLT技術(shù)避開(kāi)了傳統(tǒng)DRAM制造中溝電容的制造,可以繞開(kāi)目前DRAM存儲(chǔ)器三大巨頭的技術(shù)授權(quán)限制,對(duì)于急于發(fā)展自己存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的中國(guó)來(lái)說(shuō)具有特殊意義。

              眾所周知,存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)正成為中國(guó)半導(dǎo)體投資的重要方向。近兩年以來(lái),武漢新芯擬投資240億美元打造國(guó)內(nèi)集成電路存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)基地,福建省晉華存儲(chǔ)器集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目一期投資額370億元,還有紫光集團(tuán)宣布收購(gòu)武漢新芯大多數(shù)股權(quán)后改名為長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司。

              Charlie Cheng告訴記者,VLT技術(shù)雖然無(wú)法替代現(xiàn)有的DRAM技術(shù),但可以成為中國(guó)發(fā)展DRAM存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的第二條路徑。與目前已有繼續(xù)沿著傳統(tǒng)DRAM技術(shù)的路線相比,VLT技術(shù)所需的投資額度不大,但已在20納米至31納米工藝上通過(guò)驗(yàn)證,是一條可行的自主性發(fā)展的技術(shù)道路。

              “加上需要支付kilopass的授權(quán)費(fèi)用和驗(yàn)證費(fèi)用,大約投入100萬(wàn)美元就可以實(shí)現(xiàn)投產(chǎn)。”Charlie Cheng向記者透露。

              當(dāng)然,該技術(shù)也存在其局限性。VLT技術(shù)存儲(chǔ)單元的讀寫方式,是Intel和美光所采用的XPoint的讀寫方式,只能靠發(fā)送的電壓變化發(fā)生,這種讀寫方式是VLT技術(shù)推廣實(shí)用時(shí)所會(huì)面臨的很大挑戰(zhàn)。

              他表示,Kilopass會(huì)在全球各國(guó)中選擇3~4家企業(yè)做授權(quán),目前已有跟武漢方面做相關(guān)接洽。

              據(jù)記者了解,Kilopass是一家來(lái)自于硅谷的知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品提供商,其經(jīng)營(yíng)模式類似于ARM,依靠技術(shù)授權(quán)獲利。其自主研發(fā)的嵌入式一次性可編程(OTP)技術(shù)在全球DRAM市場(chǎng)中已占據(jù)60%的份額。而對(duì)于VLT技術(shù)授權(quán),Kilopass將采用對(duì)出貨芯片抽成的方式。



            關(guān)鍵詞: VLT DRAM

            評(píng)論


            相關(guān)推薦

            技術(shù)專區(qū)

            關(guān)閉