不同于聯(lián)發(fā)科、博通(Broadcom)等處理器大廠自行開發(fā)產(chǎn)品的模式，高通(Qualcomm)則與獨(dú)立型無(wú)線充電芯片商如IDT和安森美(On Semiconductor)展開合作，共同設(shè)計(jì)多模無(wú)線充電接收器(Rx)與傳送器(Tx)芯片，以加速拱大無(wú)線充電市場(chǎng)大餅。

高通產(chǎn)品管理資深總監(jiān)Mark Hunsicker表示，該公司已先后與IDT、安森美達(dá)成協(xié)議，將共同開發(fā)第一代和第二代整合磁感應(yīng)(Magnetic Induction)和磁共振(Magnetic Resonance)技術(shù)的多模無(wú)線充電Tx和Rx芯片，而最后的芯片所有權(quán)將歸高通所有。

Hunsicker指出，高通將以上述芯片為基礎(chǔ)，開發(fā)出完整的Rx和Tx參考設(shè)計(jì)并提交給無(wú)線電力聯(lián)盟(A4WP)進(jìn)行認(rèn)證，再提供給授權(quán)廠商，以滿足眾多品牌客戶對(duì)多模無(wú)線充電方案的需求。

高通同時(shí)布局多模無(wú)線充電的Rx和Tx，主要目的是建置完整的系統(tǒng)，讓無(wú)線充電在智能手機(jī)、平板裝置等產(chǎn)品皆可順暢運(yùn)作，且合乎法規(guī)要求，并加速市場(chǎng)普及。至今，高通已有兩款Tx產(chǎn)品通過(guò)A4WP認(rèn)證。

Hunsicker認(rèn)為，多模方案存在的時(shí)間應(yīng)該會(huì)歷經(jīng)兩代智能手機(jī)，以每一代智能手機(jī)的產(chǎn)品生命周期約18～24個(gè)月推估，兩代時(shí)間約達(dá)48個(gè)月，這段時(shí)間終端消費(fèi)者會(huì)使用雙模無(wú)線充電模式的產(chǎn)品;而在過(guò)渡期之后，支援單模磁共振的智能手機(jī)數(shù)量將會(huì)大增。

也因此，Hunsicker強(qiáng)調(diào)，該公司針對(duì)無(wú)線充電市場(chǎng)主要仍最關(guān)注磁共振標(biāo)實(shí)姆⒄梗事實(shí)上，現(xiàn)階段已有不少源始設(shè)備制造商(OEM)在開發(fā)支援單模A4WP磁共振無(wú)線充電技術(shù)的智能手機(jī)。