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            中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)未來50年發(fā)展路線圖

            作者: 時(shí)間:2016-09-21 來源:華金證券 收藏
            編者按:存儲(chǔ)器是集成電路產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)品之一,產(chǎn)品的成熟度和產(chǎn)業(yè)的規(guī)模效應(yīng)均較為顯著,而目前中國(guó)大陸的企業(yè)在相關(guān)領(lǐng)域內(nèi)的份額依然較低,在國(guó)家的“芯片國(guó)產(chǎn)化”產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下,中央政府和地方政府在產(chǎn)業(yè)內(nèi)的投資助推國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)崛起,市場(chǎng)環(huán)境及競(jìng)爭(zhēng)狀況注定了中國(guó)企業(yè)的未來崛起之路任重道遠(yuǎn)。

              3、市場(chǎng)供求關(guān)系有利國(guó)內(nèi)企業(yè)加入競(jìng)爭(zhēng)格局

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201609/310048.htm

              從市場(chǎng)供求關(guān)系的角度看,在經(jīng)過了行業(yè)過去兩年的下行周期后,DRAM和NANDFlash的市場(chǎng)格局均逐步由供過于求的局面轉(zhuǎn)向了供給略顯不足的趨勢(shì)。

              從供給端看,根據(jù)Digitimes的數(shù)據(jù)顯示,DRAM行業(yè)的主要廠商韓國(guó)三星和海力士均在2016年不同程度的降低了資本開支計(jì)劃,主要的資本投入將會(huì)涉及制程節(jié)點(diǎn)的提升而不是產(chǎn)能的直接擴(kuò)張,美光科技盡管仍然保持了資本開支計(jì)劃規(guī)模,但是他們的主要投資方向也是提升技術(shù)實(shí)力以應(yīng)對(duì)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)。NANDFlash,包括三星、海力士、美光/英特爾仍然保持了部分的資本開支以期在3DNAND Flash方面保持產(chǎn)能擴(kuò)張的趨勢(shì)。根據(jù)WSTS的預(yù)測(cè),2016~2017年,全球DRAM市場(chǎng)的供給增長(zhǎng)速度維持在25%左右,而NANDFlash的供給增長(zhǎng)則約為45%。

              從需求端看,我們之前的分析中可以看到,DRAM市場(chǎng)需求的主要驅(qū)動(dòng)因素來自于移動(dòng)智能終端的需求增長(zhǎng),PC端的下滑速度放緩,而隨著IDC等數(shù)據(jù)中心建設(shè)的推動(dòng),來自服務(wù)器端的內(nèi)存需求也將保持穩(wěn)健的成長(zhǎng)。

              NAND Flash的需求增長(zhǎng)主要來自于移動(dòng)終端以及固態(tài)硬盤(SSD)對(duì)于傳統(tǒng)硬盤的取代趨勢(shì)。在蘋果公司的最近產(chǎn)品發(fā)布會(huì)上,新款的iPhone7/7Plus最高配置的存儲(chǔ)容量已經(jīng)提升到了256GB,而其他手機(jī)廠商的新款手機(jī)產(chǎn)品也紛紛提供了更多的存儲(chǔ)空間。


            中國(guó)半導(dǎo)體存儲(chǔ)行業(yè)未來50年發(fā)展線路圖


              SSD市場(chǎng)來看,根據(jù)iSuppli預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)顯示,2017年全球市場(chǎng)SSD出貨量將會(huì)達(dá)到2.27億塊,較2012年的3,100萬(wàn)塊大幅提升732%,年復(fù)合增長(zhǎng)率接近50%。

              因此,我們預(yù)計(jì)在未來2年,DRAM需求端市場(chǎng)的出貨量增長(zhǎng)速度接近30%,而NANDFlash市場(chǎng)的需求量增速則有望達(dá)到50%以上,因此供求關(guān)系的角度看,行業(yè)市場(chǎng)正在逐步向賣方市場(chǎng)轉(zhuǎn)移,而國(guó)內(nèi)的產(chǎn)能投資有望獲得有效的市場(chǎng)支持。


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