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      三星宣布完成第一款DDR4內(nèi)存開發(fā)樣品

      作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

      三星電子今天宣布,已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā),并采用30nm級工藝制造了首批樣品。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201609/304884.htm

      時至今日,DDR4內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范仍未最終定奪。三星這條樣品屬于UDIMM類型,容量為2GB,運行電壓只有1.2V,工作頻率為2133MHz,而且憑借新的電路架構(gòu)最高可以達(dá)到3200MHz。相比之下,DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)頻率最高僅為1600MHz,運行電壓一般為1.5V,節(jié)能版也有 1.35V。僅此一點,DDR4內(nèi)存就可以節(jié)能最多40%。

      根據(jù)此前的規(guī)劃,DDR4內(nèi)存頻率最高有可能高達(dá)4266MHz,電壓則有可能降至1.1V乃至1.05V。

      三星表示,這條DDR4內(nèi)存使用了曾出現(xiàn)在高端顯存顆粒上的“Pseudo Open Drain”(虛擬開漏極)技術(shù),在讀取、寫入數(shù)據(jù)的時候漏電率只有DDR3內(nèi)存的一半。

      三星稱,上月底已經(jīng)向一家控制器制造商提供了這種DDR4內(nèi)存條的樣品進行測試,并計劃與多家內(nèi)存廠商密切合作,幫助JEDEC組織在今年下半年完成DDR4標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制定工作,預(yù)計2012年開始投入商用。

      回顧歷史,三星曾于1997年、2001年、2005年三次分別率先造出第一條DDR、DDR2、DDR3內(nèi)存條,如今又在DDR4上繼續(xù)保持了領(lǐng)先地位。



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