讓CMOS集成高壓功能，ESD是關(guān)口

一個由英飛凌(Infineon Technologies)和印度孟買理工學(xué)院(Indian Institute of Technology, Bombay)組成的聯(lián)合研究小組，近日宣稱可將高電壓功能集成在先進(jìn)的CMOS技術(shù)中。

該聯(lián)合項(xiàng)目成立于2007年，主要致力于對I/O設(shè)備設(shè)計領(lǐng)域以及多門MOSFET的45納米CMOS技術(shù)的研究。該聯(lián)合小組研究人員表示，弱ESD魯棒性和高ESD應(yīng)力性，是利用先進(jìn)CMOS技術(shù)制造高壓接口(10V或以上)的主要障礙。

該團(tuán)隊(duì)的研究結(jié)果表明，設(shè)備的高壓功能、從USB接口到高壓線驅(qū)動器，都可以集成在采用45納米甚至以下的CMOS片上系統(tǒng)。

英飛凌的ESD研究高級首席工程師Harald Gossner表示，“這次合作對我們在理解一些現(xiàn)有設(shè)備的可靠性問題是十分有益的，所提出的解決方案也大大提升了我們的產(chǎn)品性能。”