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            多芯片封裝新突破 Invensas推出xFD技術

            作者: 時間:2016-09-12 來源:網(wǎng)絡 收藏

            隨著內(nèi)存容量的不斷增大,單條內(nèi)存上如何集成更多的顆粒成了問題,在容量要求更高的服務器和數(shù)據(jù)中心領域這一問題愈發(fā)嚴重。在日前舉行的高質量電子設計國際研討會(ISQED)上,Invensas半導體提出了一種名為xFD的新型內(nèi)存封裝技術試圖解決這個問題。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201609/304518.htm

            xFD全稱為multi Face Down,是一種新的多芯片封裝技術,Invensas副總兼CTO Richard Crisp在會上宣布,xFD具有體積小、性能高、成本低等優(yōu)勢。

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            ▲xFD封裝的芯片

            xFD封裝的芯片占地面積只有傳統(tǒng)封裝的一半,因此xFD的厚度減少了30%。此外,由于采用了超短的獨立連接,多芯片封裝的性能與單芯片相當,性能有保證,而xFD封裝所用的材料成本更低,對工廠來世也可以節(jié)約開支。

            xFD只是個統(tǒng)稱,典型的產(chǎn)品配置主要有以下兩種:

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            ▲xFD技術

            DFD™:Dual Face Down,單個封裝內(nèi)有兩顆芯片,可以是x4、x8或者x16配置,其中x4及x8配的體積為11.5x11.5mm,104 BGA封裝,x16配置的體積為11.5x14mm,136 BGA封裝。

            QFD™:Quad Face Down,每個封裝內(nèi)有四顆芯片,x8或者x16配置,容量更高,體積增大為16.2x16.2mm,256 BGA封裝。

            Invensas表示已經(jīng)和內(nèi)存廠商達成交易準備將xFD用在主流市場上,不過他們也沒有說明具體什么時候和那些廠商會推出xFD內(nèi)存,目前只知道去年10月份Nanium和他們達成了交易。不過這項技術主要應用在對容量要求較高的服務器市場,民用DDR3內(nèi)存的主流是單條2GB以及4GB,單條8GB還稀少的很,估計很長一段時間內(nèi)都用不到xFD封裝。



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