DRAMeXchange表示，由于DRAM產(chǎn)業(yè)寡占市場(chǎng)格局確立，加上各大DRAM供應(yīng)商按照原先規(guī)劃減少標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器部位影響下，主流模塊4GB均價(jià)在第2季上揚(yáng)16%，由23.5美元漲至27.25美元，以4Gb顆粒來(lái)計(jì)算已達(dá)近年新高價(jià)格。一如先前預(yù)測(cè)，第2季 DRAM廠總營(yíng)收再創(chuàng)新高，達(dá)85.3億美元，季成長(zhǎng)24%，創(chuàng)下近3年來(lái)單季最高增幅。由于DRAM產(chǎn)業(yè)供給端的結(jié)構(gòu)調(diào)整仍持續(xù)進(jìn)行中，第3季全球營(yíng)收預(yù)估仍將維持小幅成長(zhǎng)。

從全球DRAM廠自有品牌存儲(chǔ)器營(yíng)收排名來(lái)觀察，三星與SK海力士?jī)纱箜n系廠的綜合市占為62.7%，與上季相較小幅衰退，其中第1大廠三星的DRAM營(yíng)收與上季相較僅成長(zhǎng)7.7%，遠(yuǎn)小于名列第2的SK Hynix 的40.7%。

而在日商爾必達(dá)與美商美光半導(dǎo)體方面，營(yíng)收市占分別為15.2%與12.9%，美光于8月1日正式整并爾必達(dá)后合并市占達(dá)28%，成為DRAM供應(yīng)體系中的第3大勢(shì)力。

臺(tái)系廠部分，南科受惠于利基型與標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，營(yíng)收較第2季大幅成長(zhǎng)近58.8%，截至目前為止南科仍有標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器的投片，但型態(tài)上已轉(zhuǎn)為代工業(yè)務(wù)，下半年投片將逐步減少并轉(zhuǎn)進(jìn)30nm制程的行動(dòng)式存儲(chǔ)器增加獲利率。

力晶在轉(zhuǎn)型為代工業(yè)務(wù)后，已成為力晶主要獲利來(lái)源，P3廠則在設(shè)備售與金士頓后，目前該廠全數(shù)生產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)型存儲(chǔ)器，與之前代工模式不同的是材料方面全數(shù)由金士頓提供，力晶僅代為生產(chǎn)，故營(yíng)收大幅降低，較上計(jì)衰退43%。

華邦則是隨著利基型存儲(chǔ)器價(jià)格上漲，營(yíng)收成長(zhǎng)約14.7%，隨著消費(fèi)性電子產(chǎn)品旺季來(lái)臨，加上低容量行動(dòng)式存儲(chǔ)器產(chǎn)能開(kāi)出，后續(xù)營(yíng)收將穩(wěn)定成長(zhǎng)。

從市場(chǎng)面來(lái)觀察，DRAMeXchange認(rèn)為，隨著DRAM產(chǎn)業(yè)走入寡占型態(tài)，供需已經(jīng)不是價(jià)格漲跌的唯一依據(jù)，DRAM廠只要在某一產(chǎn)品可以寡占甚至獨(dú)占后，定能控制價(jià)格，往年價(jià)格的大起大落將不復(fù)見(jiàn)，伴隨而來(lái)的是穩(wěn)定的市場(chǎng)價(jià)格與獲利，將是未來(lái)DRAM市場(chǎng)的走向。