存儲器巨頭再掀產能技術爭奪戰(zhàn) 作者： 時間：2016-09-12 來源：網絡 加入技術交流群 掃碼加入和技術大咖面對面交流海量資料庫查詢 收藏 <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=88&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a635e61e' border='0' alt='' /></a> <a target='_blank'><img src='https://ad.eepw.com.cn/www/delivery/avw.php?zoneid=87&cb=INSERT_RANDOM_NUMBER_HERE&n=a576c0a2' border='0' alt='' /></a> 莫大康分析說，存儲器相對3D最容易實現(xiàn)，因為是把同一種芯片堆疊24層、32層就能提高容量，因此存儲器將在3D方面打先鋒。未來NAND閃存競爭將迎來加高堆疊層數(shù)來實現(xiàn)大容量化的、徹底的技術轉型。莫大康最后指出，3D的路其實不好走，技術方面難度大，尤其是異質架構。其實最理想的是異質架構把邏輯、存儲器、模擬、RF、MEMS都放在一起，這將實現(xiàn)半導體又一次大躍進，但目前還達不到。 上一頁 1 2 下一頁
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