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            三星主導(dǎo)調(diào)漲報價策略 DRAM廠商有望重掌號令

            作者: 時間:2016-09-18 來源:經(jīng)濟日報 收藏

              主導(dǎo)調(diào)漲報價策略奏效,全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦科技最新現(xiàn)貨報價連四天緩步上揚,主流DDR4 4Gb 有機會向2美元叩關(guān),也是近2個月來漲勢最明確的半導(dǎo)體重要元件。DRAM廠商包括南亞科、華邦、威剛及宇瞻等,可望重掌多頭反攻號令。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201609/297107.htm

              存儲器渠道商表示,和SK海力士近期主導(dǎo)價格漲勢態(tài)度積極,除8月調(diào)漲DRAM報價,第4季合約價也再漲一成,連同第3季合約價調(diào)漲15%,等于下半年漲幅約25%。

              2大韓系DRAM大廠的市占逾八成,主導(dǎo)DRAM漲價策略奏效,已激勵現(xiàn)貨報價連四天上揚,集邦最新DRAM報價,主導(dǎo)DDR4 4Gb DRAM單日最高價已達每顆2.2美元,雖然均價在1.86美元,但業(yè)者預(yù)期隨買盤升溫,很快會站穩(wěn)2美元之上。

              至于應(yīng)用于其他工控和網(wǎng)通及消費產(chǎn)品的DDR3 2Gb及4Gb DRAM,漲勢雖未DDR4強勢,但也呈現(xiàn)緩漲態(tài)勢。

              渠道商分析,兩大韓系業(yè)者漲價,希望能穩(wěn)住獲利,彌補Note 7回收的損失,各品牌手機為因應(yīng)高解析影響處理和儲存需求,新機搭載DRAM和NAND容量都大幅提升,也是“漲價有理”的關(guān)鍵。

              例如蘋果iPhone 7的DRAM搭載量由2GB推升至3GB,部分非蘋機種更至6GB,都以驚人的幅度成長,筆電廠和資料中心所需的伺服器存儲器需求成長性更為驚人。

              第4季是歐美及亞洲零售旺季,包括感恩節(jié)、耶誕節(jié)及雙十一光棍節(jié)等,各家廠商競相備貨搶食商機,韓系大廠在蘋果等主要大廠已包下大部分產(chǎn)能,調(diào)升售價是希望借此要渠道端和委托制造代工大廠備貨。

              韓系大廠將產(chǎn)能轉(zhuǎn)向行動時記憶體和NAND,造成標(biāo)準(zhǔn)型DRAM缺貨,近期標(biāo)準(zhǔn)型DRAM現(xiàn)貨價回升,估計第4季漲勢會以標(biāo)準(zhǔn)型DRAM最明顯,漲幅恐逾一成、甚至可達15%;移動DRAM漲幅估計也會不小。

              集邦同時看好儲存型快閃記憶體(NAND Flash)第4季漲勢,主因3D NAND芯片制程推進不如預(yù)期,而各項終端產(chǎn)品已進入需求旺季。



            關(guān)鍵詞: 三星 DRAM

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