今天，鎂光正式公布了DDR5內(nèi)存的詳細(xì)規(guī)格。作為DDR4內(nèi)存的繼任者，DDR5內(nèi)存在性能上自然要高出DDR4一大截。從鎂光公布的文件來(lái)看，DDR5內(nèi)存將從8GB容量起步，最高可達(dá)單條32GB，I/O帶寬能達(dá)到3.2-6.4Gbps，同時(shí)電壓1.1V，內(nèi)存帶寬將為DDR4內(nèi)存的兩倍。

　　此外，鎂光還在芯片論壇上表示DDR5內(nèi)存將從3200Mhz起步，主流內(nèi)存頻率可達(dá)6400Mhz。

　　同時(shí)，鎂光還表示他們將在2018年成功流片DDR5內(nèi)存樣品，并將在2019年實(shí)現(xiàn)正式量產(chǎn)。

　　據(jù)業(yè)內(nèi)人士估計(jì)，DDR5內(nèi)存的普及應(yīng)該會(huì)在2020年來(lái)臨，所以想要跳過(guò)DDR4內(nèi)存的朋友還要等待一段時(shí)間。