根據(jù)國內(nèi)消息來源表示，三星電子正在測試其下一代手機處理器Exynos8995，采用10納米FinFET工藝，最高速度可達到4GHz，其功耗和傳聞當(dāng)中的高通驍龍830相同，據(jù)稱高通驍龍830處理器最高工作頻率只有3.6GHz。換句話說，三星接下來的Exynos芯片或提供了極大的電源效率。

　　預(yù)計三星明年GalaxyS8智能手機有可能是第一個采用Exynos8995處理器的產(chǎn)品。不過，目前來看，遷移到10nm制造工藝，仍然非常棘手。英特爾本來準備今年作出這樣的轉(zhuǎn)變，然而計劃已經(jīng)延期，并推出了權(quán)宜產(chǎn)品，顯示10nm工藝比預(yù)期更困難。同樣的事情有可能在移動芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)生。所以10nm處理器絕對不可能成為明年的主打產(chǎn)品。

　　其次，行業(yè)才剛剛出貨和使用14nm芯片，高通驍龍820和821處理器是首批采用這一工藝的產(chǎn)品，在理論上還有改進的余地，所以不大可能迅速推出采用下一代制造工藝的產(chǎn)品。