自主研發(fā)

　　這是一條最為艱難之路，因為仔細(xì)思考目前除了有錢，技術(shù)與人材都不具備，再加上全球存儲器壟斷，西方處處堵截我們，因此中國只有狠下一條心，丟掉一切幻想，加強(qiáng)自主研發(fā)，為國家爭一口氣。

　　但是科學(xué)技術(shù)來不得半點(diǎn)虛假，必須遵循規(guī)律，因此需要人材，投入及時間。目前第一階段的目標(biāo)是2018年，100，000片產(chǎn)能，量產(chǎn)32層3D NAND閃存。

　　擺在首位的肯定是技術(shù)上迅速的突破，新芯至少要過32層，多少納米制程尚不清楚。技術(shù)上能突破是新芯的立足之本。

　　中國存儲器業(yè)發(fā)展可能分成三步：第一步是盡快的研發(fā)成功，早日量產(chǎn)：第二步是提高制程技術(shù)，并迅速的降低成本;第三步在全球存儲器的下降周期時逆勢的擴(kuò)充產(chǎn)能，縮小差距。

　　看似簡單的步驟，執(zhí)行起來經(jīng)常會受到各種干擾，因此貴在堅持。從此點(diǎn)上趙董事長有長處，西北漢子的性格，能勇往直前，迅速作出決斷。然而中國半導(dǎo)體業(yè)尚處在非完全市場經(jīng)濟(jì)階段，有許多非市場化的因素一定會導(dǎo)入，讓企業(yè)左右為難，但是最終一定要作出抉擇。

　　尤其是當(dāng)企業(yè)出現(xiàn)虧損時，而且是連續(xù)數(shù)年之后，還要能說服自己，及股東能繼續(xù)的投資，需要鐵婉式的決斷。

　　近期魏少軍博士講，存儲器項目最困難的是項目啟動的三年之后。那時生產(chǎn)線己經(jīng)開通，關(guān)鍵要產(chǎn)出有競爭力的市場產(chǎn)品。否則盡管產(chǎn)品生產(chǎn)很多，庫存也很大，會帶來很大的資金壓力，這是一定會發(fā)生的事。

　　存儲器業(yè)的特征就是起伏大，價格下降快，不是處于全球的領(lǐng)先地位，面臨虧損的幾率是非常大。

　　所以趙董事長的角色并不好當(dāng)，既要符合產(chǎn)業(yè)發(fā)展的需要，又要為投資的股民謀福利，有時是個互相矛盾的事。

　　中國發(fā)展存儲器業(yè)是國策，是塊硬骨頭，目前己無退路，只有向前挺進(jìn)?，F(xiàn)階段各種模式都可以嘗試一下，從目前的態(tài)勢肯定走自主研發(fā)道路的風(fēng)險要更大些，因此要集中國內(nèi)的最頂級人材，也可學(xué)習(xí)臺積電的“夜鶯部隊”方式，爭取更多的時間去努力攻克它，但是相信只有通過自主研發(fā)的成果才是屬于自己的。

　　另外合資發(fā)展的模式可能相對易行，兩岸合作實現(xiàn)雙贏是大勢所趨，它對于中國能早日產(chǎn)出存儲器芯片是有十分重要的意義。