先前科技新報獨家揭露，統(tǒng)籌中國存儲器產業(yè)發(fā)展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協(xié)助，現(xiàn)在事情再有新進展，根據(jù)調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 說法，紫光將于武漢成立新企業(yè)，未來武漢新芯將并入旗下，據(jù)科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業(yè)。

　　朝 NAND Flash 發(fā)展前進

　　調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處 DRAMeXchange 今 27 日發(fā)布消息指出，紫光集團預計于武漢成立長江存儲科技，未來將并入武漢新芯并統(tǒng)籌集團下一切存儲器發(fā)展項目，目前整體規(guī)劃朝向 NAND Flash 產業(yè)發(fā)展。

　　DRAMeXchange 認為，紫光集團與武漢新芯目前將著力于 NAND Flash 發(fā)展，除了因 NAND Flash 后市可期， 武漢新芯原為 NOR Flash 大廠，在生產經驗、廠房與產能建置等基礎建設本就有所擅長。DRAMeXchange 協(xié)理楊文得進一步分析，紫光集團則在資金募集及策略并購等均有過人之處，透過兩強攜手整合資源，能使中國存儲器產業(yè)投資的整體資源配置更加集中，并在整合上產生更多綜效，對內得以于未來中國存儲器產業(yè)的發(fā)展中瞄準較佳的地位，對外則能提升產業(yè)上談判的籌碼，有助于中國建立產業(yè)自主性。

　　根據(jù)科技新報先前取得的消息，紫光集團董事長趙偉國、大基金總經理丁文武可能在這之中扮演重要角色，新芯董事長楊士寧等則可能有異動，而目前最新消息，趙偉國確將擔任董事長執(zhí)掌合體之后的新事業(yè)。

　　飛索半導體之后再攜美光?

　　武漢新芯在 3 月底于武漢東湖高新區(qū)所擘劃的存儲器基地才舉行動土典禮，規(guī)劃用于生產 3D-NAND Flash，預計 2018 年建設完成，官方預估，屆時與飛索半導體合作開發(fā)的 3D-NAND Flash 將能達到 32 層堆疊，初期月產能約 20 萬片，武漢新芯目標到 2020 年基地總產能達 30 萬片/月、2030 年來到 100 萬片/月。

　　楊文得表示，3D-NAND Flash 的廠房新建等投資遠高于 2D-NAND Flash 數(shù)倍，紫光/武漢新芯方若能循華亞科模式取得美光技術授權，則能以較低的財務負擔來獲取長期新產能的布建，更有機會在市占率拉近與三星和東芝/威騰(WD)陣營的距離。

　　3D-NAND Flash 現(xiàn)擴產潮

　　目前各家大廠在 3D-NAND Flash 產能的布建，三星在西安廠的投資外，韓國平澤廠區(qū)也規(guī)劃加大 3D-NAND Flash 產能，東芝與威騰(WD)旗下 SanDisk 日本 Fab2 廠在日前開幕，新廠也可望自 2018 下半年投產，海力士則除現(xiàn)階段 M11 與 M12 廠外，M14 廠第二階段 3D-NAND 的生產也將從明年第一季后開始進行。英特爾美光陣營在今年 3 月擴建新加坡 Fab10X 外，英特爾大連廠轉型生產 3D-NAND Flash 晶片也在這個月 25 日正式投產。

　　DRAMeXchange 預估，2011~2016 年 NAND Flash 位元需求量的年復合成長率高達 47%，在 SSD 需求高度成長的帶動下，NAND Flash 未來 10 年可望皆維持強勁成長態(tài)勢。