今天，ITRS發(fā)布報(bào)告預(yù)測(cè)表示，芯片摩爾定律或在2021年失效。我們知道，硅芯片制造工藝正逼近物理極限?！吨袊?guó)科技報(bào)》分析稱(chēng)，為滿(mǎn)足摩爾定律增長(zhǎng) 要求，要么尋找全新材料替代硅——石墨烯、二硫化鉬或者單原子層鍺，要么創(chuàng)新方法來(lái)拓展硅芯片的能力—— 將更符合要求的新材料高效集成在硅襯底上。

　　相較而言，完全替代原有技術(shù)路線(xiàn)，不僅需要大量資金投入，產(chǎn)業(yè)充分競(jìng)爭(zhēng)和協(xié)作也必不可少;在成熟技術(shù)上深部挖潛，成本雖然低很多，卻難以帶來(lái)翻天覆地的全新業(yè)態(tài)。

　　據(jù)報(bào)道，美國(guó)北卡羅來(lái)納州立大學(xué)日前發(fā)布公告表示，該校研究人員與美國(guó)陸軍研究辦公室合作開(kāi)發(fā)出一種被稱(chēng)為“薄膜外延法”的新方法，可將多鐵性材料等新型功能材料集成至計(jì)算機(jī)芯片上。據(jù)了解，將新型功能材料與硅芯片集成，有助于未來(lái)制造出更輕巧、智能的電子設(shè)備和系統(tǒng)，會(huì)使很多過(guò)去認(rèn)為不可能的事成為可能：比如，數(shù)據(jù)探測(cè)、采集、處理等多種任務(wù)可以在一個(gè)緊湊的芯片上完成，此外目前發(fā)光二極管(LED)所用藍(lán)寶石襯底無(wú)法與計(jì)算機(jī)設(shè)備兼容的難題也會(huì)迎刃而解。

　　目前而言，一些新型功能材料，如具有鐵電和鐵磁性質(zhì)的多鐵性材料、表面有導(dǎo)電性能的拓?fù)浣^緣體及新型鐵電材料等，在傳感器、非易失性存儲(chǔ)器及微機(jī)電領(lǐng)域有很好的應(yīng)用前景。但這些材料目前面臨的一個(gè)難題是，至今它們都不能被集成到硅芯片上。目前，新的研究幫助突破了限制。

　　研究人員表示，所謂“薄膜外延法”，就是他們?cè)O(shè)計(jì)了氮化鈦板層和釔穩(wěn)定氧化鋯板層這兩種可與硅兼容的板層，用來(lái)連接新功能材料與不同電子產(chǎn)品硅芯片的底層基質(zhì)(平臺(tái))，然后利用其開(kāi)發(fā)的一套緩沖薄膜，將功能材料與硅芯片集成在一起。這些薄膜通過(guò)一面與新型功能材料的晶體結(jié)構(gòu)結(jié)合，另一面與底層基質(zhì)結(jié)合來(lái)發(fā)揮連接作用。研究人員稱(chēng)，隨著集成的功能材料的變更，所使用的薄膜組合也會(huì)隨之變化。舉個(gè)例子，集成多鐵性材料時(shí)會(huì)使用氮化鈦、氧化鎂、氧化鍶和鑭鍶錳氧化物這4種類(lèi)型的薄膜組合，但是如果要集成拓?fù)浣^緣體，那么只需要氧化鎂和氮化鈦就可以了。

　　據(jù)悉，相關(guān)研究成果刊發(fā)在《應(yīng)用物理評(píng)論》期刊上。