東芝(Toshiba)統(tǒng)籌存儲(chǔ)器事業(yè)的副社長(zhǎng)成毛康雄于6日舉行的投資人說明會(huì)上表示，將沖刺N(yùn)AND Flash產(chǎn)量，目標(biāo)在2018年度將NAND Flash產(chǎn)量擴(kuò)增至2015年度的3倍水準(zhǔn)(以容量換算)。

　　關(guān)于已在2016年度開始量產(chǎn)的3D結(jié)構(gòu)NAND Flash，成毛康雄指出，將強(qiáng)化3D Flash的生產(chǎn)，目標(biāo)在2017年度將3D產(chǎn)品占整體生產(chǎn)比重提高至5成、2018年度進(jìn)一步提高至9成左右水準(zhǔn)。

　　東芝為全球第2大NAND Flash廠商，市占率僅次于三星電子。

　　日經(jīng)、韓國(guó)先驅(qū)報(bào)(Korea Herald)7月6日?qǐng)?bào)道，未具名消息指稱，東芝打算與Western Digital在未來三年攜手，對(duì)3-D NAND Flash投資1.5萬億日元(相當(dāng)于146億美元)。

　　根據(jù)雙方協(xié)議，東芝、Western Digital會(huì)在日本三重縣四日市的現(xiàn)有合資廠房新增芯片制造設(shè)備，大多數(shù)的資金會(huì)用來安裝3-D NAND的制造裝置。

　　東芝3月18日宣布，將在2016年度-2018年度的3年間總計(jì)砸下約8，600億日元投資NAND Flash，除將興建3D Flash新廠房之外，也將對(duì)現(xiàn)有廠房進(jìn)行設(shè)備更新、提高3D Flash的生產(chǎn)比重。

　　最新報(bào)告顯示，2016年Q1(1-3月)NAND Flash品牌商營(yíng)收季減2.9%至80.64億美元，已連續(xù)兩季衰退。其中東芝NAND Flash營(yíng)收季增12.8%、增幅遠(yuǎn)高于三星的1.2%。

　　Q1東芝NAND Flash全球市占率從2015年Q4(10-12月)的18.6%揚(yáng)升至21.6%，與三星的市占差距從15個(gè)百分點(diǎn)縮小至13.5個(gè)百分點(diǎn)。Q1三星市占率為35.1%(2015年Q4為33.6%)穩(wěn)居首位，第3-6名分別為閃迪(市占率15.1%)、美光(13.3%)、SK Hynix(7.9%)和英特爾(6.9%)。