5月23日，李克強(qiáng)總理視察武漢新芯，參觀了公司的晶圓廠，并和武漢新芯的管理和研發(fā)團(tuán)隊(duì)親切交談。他說，在集成電路領(lǐng)域，管理和研發(fā)這兩塊最難也最重要，希望武漢新芯摸索出好的管理經(jīng)驗(yàn)，制造出高性能、高質(zhì)量的自主可控的芯片。

　　下午6:40分左右，李克強(qiáng)總理到達(dá)武漢新芯，并在董事長王繼增和執(zhí)行長楊士寧博士的陪同下，直接前往晶圓廠參觀。

　　楊士寧博士向總理匯報(bào)了武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和業(yè)務(wù)布局情況。他介紹，武漢新芯現(xiàn)有業(yè)務(wù)布局物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域。目前，公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產(chǎn)技術(shù)水平世界領(lǐng)先，BSI圖像傳感器生產(chǎn)技術(shù)水平位居世界三強(qiáng)。公司獨(dú)特的三維集成技術(shù)可以使閃存、微控制單元、傳感器等芯片進(jìn)行靈活搭配，以適應(yīng)和滿足龐大的物聯(lián)網(wǎng)市場的各種需求。此外，武漢新芯正在布局包含三維閃存在內(nèi)的大存儲(chǔ)器領(lǐng)域。由于在二維層面上，摩爾定律已接近尾聲，芯片技術(shù)正在由二維向三維轉(zhuǎn)型，選擇三維閃存，有助于我們實(shí)現(xiàn)“彎道超車”。武漢新芯計(jì)劃在三維閃存領(lǐng)域直接跨入世界第一梯隊(duì)，借此技術(shù)切入高端存儲(chǔ)器制造領(lǐng)域。此外，楊士寧博士還說，選擇三維閃存不僅是出于技術(shù)方面的考量，也是經(jīng)濟(jì)效益的需求。

　　聽完公司技術(shù)和整體情況介紹后，李克強(qiáng)總理隨即和武漢新芯的技術(shù)研發(fā)和管理團(tuán)隊(duì)見面，同他們一一握手。楊士寧博士介紹團(tuán)隊(duì)成員來自美國、臺(tái)灣、新加坡等世界各地，總理點(diǎn)頭表示贊許。他特別強(qiáng)調(diào)了高級(jí)管理人才的稀缺性和重要性，并寄言管理團(tuán)隊(duì)，希望他們把自己的所學(xué)和從前好的經(jīng)驗(yàn)以及先進(jìn)的管理辦法應(yīng)用到實(shí)際當(dāng)中，花大力氣在技術(shù)研發(fā)和生產(chǎn)管理上。

　　最后李克強(qiáng)總理表示，存儲(chǔ)器是最大宗的集成電路產(chǎn)品，是戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性、先導(dǎo)性的產(chǎn)業(yè)，研發(fā)和管理工作非常重要。他希望武漢新芯可以匯聚全球資源，研制出高性能、高質(zhì)量的存儲(chǔ)器芯片，讓國人安心、放心地使用，并以此改善芯片大量依賴進(jìn)口的現(xiàn)狀，甚至可以走出國門，在世界上占有一席之地。