DIGITIMES專欄：三星投入DRAM 18納米制程研發(fā)
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2016年三星電子(Samsung Electronics)于DRAM將以開(kāi)發(fā)18納米制程為其投資重點(diǎn)，DIGITIMES Research觀察，為克服DRAM 18納米制程微縮所面臨的電容器(Capacitor)易倒塌、雜訊(Noise)增加、電荷外泄及曝光顯影變復(fù)雜等課題，三星將運(yùn)用四重曝光顯影技術(shù)(Quadruple Patterning Technology;QPT)與超微細(xì)導(dǎo)電膜形成技術(shù)，以維持其在DRAM技術(shù)的領(lǐng)先地位。
本文引用地址：http://www.biyoush.com/article/201605/291264.htm三星于DRAM 18納米制程將運(yùn)用自動(dòng)對(duì)位QPT(Self Aligned QPT;SaQPT)方式，系自動(dòng)對(duì)位雙重曝光顯影技術(shù)(Self Aligned Double Patterning Technology;SaDPT)的延伸，亦即進(jìn)行2次SaDPT，以達(dá)成不需增加光罩?jǐn)?shù)的理想。
不過(guò)，三星所采SaQPT仍須形成超微細(xì)導(dǎo)電膜，故需要追加原子層沉積(Atomic Layer Deposition;ALD)制程，及形成圖案所需的蝕刻與化學(xué)機(jī)械研磨(Chemical Mechanical Polishing;CMP)等制程，使得三星所采SaQPT成本將為單次曝光顯影技術(shù)的3.3倍。
在超微細(xì)導(dǎo)電膜方面，由于以往系采用分子單位的物質(zhì)，來(lái)蒸鍍導(dǎo)電膜，然因分子單位下的粒子較大，不易形成均勻薄膜，為避免電子外泄，需蒸鍍較厚的導(dǎo)電膜，然此將導(dǎo)致電容器內(nèi)的電荷儲(chǔ)存量減少，三星改用原子物質(zhì)來(lái)制作導(dǎo)電膜，可望克服此一問(wèn)題，推動(dòng)DRAM朝18納米制程微縮。
評(píng)論