內(nèi)存及閃存的降價(jià)還沒到底，由于廠商產(chǎn)能擴(kuò)大，競(jìng)爭(zhēng)加劇，此前分析稱內(nèi)存/閃存價(jià)格今年下半年還會(huì)繼續(xù)降，內(nèi)存甚至可能大降40%。但是消費(fèi)者滿心希望降價(jià)，廠商可撐不住了，兩大主力廠商三星、SK Hynix今年都會(huì)大幅削減資本支出，放緩產(chǎn)能提升腳步。

　　據(jù)韓國媒體報(bào)道，加拿大皇家銀行RBC高級(jí)分析師Amit Daryanani本周一發(fā)表分析報(bào)告，預(yù)測(cè)2016年全球存儲(chǔ)芯片資本支出額為502億美元，比上一年減少4%。看起來變動(dòng)不多，但三星一家就減少了40億美元的支出，同比下降了31%。

　　三星是DRAM廠商中工藝最先進(jìn)的，前不久宣布率先量產(chǎn)18nm工藝DRAM芯片，而目前的產(chǎn)能有70%都已經(jīng)升級(jí)到20nm工藝節(jié)點(diǎn)，但這也意味著三星不會(huì)大規(guī)模投資產(chǎn)能建設(shè)了，內(nèi)存領(lǐng)域的資本支出將減少26億美元。

　　閃存方面同樣如此，三星數(shù)年前在中國西安投資70億美元建設(shè)3D NAND閃存工廠，去年底該工廠已經(jīng)開始規(guī)模量產(chǎn)第三代V-NAND閃存了，隨著工廠進(jìn)入全功能運(yùn)營階段，三星在NAND領(lǐng)域的投資也將下降到10億美元。

　　另一家韓國公司SK Hynix同樣也會(huì)削減資本投資，預(yù)計(jì)今年會(huì)減少6萬億韓元。分析師稱SK Hynix正在為升級(jí)20nm DRAM芯片產(chǎn)能投資，但在3D NAND領(lǐng)域進(jìn)行重點(diǎn)投資的可能不大，他們的產(chǎn)能ASP平均售價(jià)及技術(shù)面臨挑戰(zhàn)。

　　三星、SK Hynix放緩存儲(chǔ)芯片投資跟營收表現(xiàn)息息相關(guān)，預(yù)計(jì)今年Q1季度的財(cái)報(bào)中雙方都會(huì)披露新的投資計(jì)劃。分析師稱宏觀經(jīng)濟(jì)壓力導(dǎo)致了半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下降，進(jìn)而抑制了資本支出。廠商們的運(yùn)營利潤下降速度歷史性地超過了營收下降速度。

　　SK Hynix預(yù)計(jì)Q1季度的運(yùn)營利潤只有5000億韓元，去年同期還有1.58萬億韓元。三星日子也沒好到哪里去，去年Q1季度運(yùn)營利潤是2.93萬億韓元，今年Q1季度降到了2.6萬億韓元。此外，三星存儲(chǔ)芯片之外還可以依賴處理器芯片彌補(bǔ)部門法損失，而SK Hynix主要的營收都是來自DRAM及NAND存儲(chǔ)芯片，情況比三星更糟。