SiC是這兩年剛剛興起的，主要用在工控/工業(yè)上，例如產(chǎn)線機器人、逆變器、伺服等。車輛方面，主要是電動車(EV)，此外還有工廠車間的搬運車等特種車。

　　相比IGBT，SiC有一些特點，可以做到高頻;做成模塊后，由于適應(yīng)適應(yīng)高頻，外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面，ROHM推薦1200V的產(chǎn)品，這可體現(xiàn)出耐高壓的特點。

　　現(xiàn)在ROHM SiC模塊中，300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖)，由幾個芯片并聯(lián)在一起的。如果一個芯片40A左右，就需要約七八個芯片并聯(lián)，面積只有單個芯片那么大。絕緣層是由氧化鋁等其他成分組成。

　　ROHM的新產(chǎn)品有“全SiC”功率模塊，特點是高速開關(guān)，低開關(guān)損耗，高速恢復(fù)，消除寄生二極管通電導(dǎo)致的元件劣化問題，可用于電機驅(qū)動、逆變器、轉(zhuǎn)換器、太陽能發(fā)電、風(fēng)力發(fā)電、感應(yīng)加熱設(shè)備等。此外，ROHM的SiC二極管產(chǎn)品——第2代SiC肖特基勢壘二極管實現(xiàn)了小級別的低VF,有小級別的正向電壓、快速恢復(fù)特性，開關(guān)損耗顯著降低，可用于太陽能功率調(diào)節(jié)器，開關(guān)電源，EV/HEV逆變器和充電器等。

　　不過，和IGBT相比，SiC成本目前還不占優(yōu)勢。SiC二極管比硅二極管產(chǎn)品貴兩三倍，SiC的MOSFET比硅MOSFET貴三到五倍。電動汽車上的模塊產(chǎn)品比IGTB的模塊貴五倍以上。因為模塊更難封裝，原材料也更貴。