法國(guó)絕緣層上覆矽(SOI)晶圓制造和供應(yīng)商Soitec宣布將以12吋晶圓制造先進(jìn)的RFeSI產(chǎn)品，此舉主要是為了擴(kuò)大射頻前端模組(RFFEM，或簡(jiǎn)稱(chēng)FEM)，也就是處理無(wú)線(xiàn)電接收器和天線(xiàn)訊號(hào)的芯片產(chǎn)量。

　　AdvancedSubstrateNews報(bào)導(dǎo)，采用先進(jìn)SOI技術(shù)制造的FEM已經(jīng)應(yīng)運(yùn)在所有智能型手機(jī)上，截至目前止，RFFEM都是以8吋SOI晶圓制造，但隨著需求持續(xù)增加，以及4GLTE-A(以及之后的5G)逐漸普及，RF-SOI(射頻絕緣層覆矽)未來(lái)展望看俏，因而需要更大型的晶圓來(lái)生產(chǎn)。

　　Soitec握有許多相關(guān)技術(shù)及8吋晶圓RF-SOI制造經(jīng)驗(yàn)，量產(chǎn)12吋SOI晶圓對(duì)Soitec也非新鮮事。不過(guò)，最新加入產(chǎn)品線(xiàn)的先進(jìn)RFeSI90晶圓要求更創(chuàng)新的技術(shù)，Soitec多年前與倫敦大學(xué)學(xué)院(UCL)合作找出突破瓶頸的方式，以便催生更高度整合的IC，為先進(jìn)的4G/LTE通訊，乃至于新世代無(wú)線(xiàn)技術(shù)包括5G應(yīng)用鋪路。

　　Soitec現(xiàn)在邁入12吋晶圓制程，其SOI基板同時(shí)容納了天線(xiàn)轉(zhuǎn)換器、調(diào)整器和部分功率放大器，以及智能型手機(jī)和相關(guān)移動(dòng)裝置的Wi-Fi電路。事實(shí)上，Soitec的新技術(shù)已獲多數(shù)主要RF半導(dǎo)體廠(chǎng)采用，借此來(lái)降低成本、提高效能和整合3G和4G/LTE。

　　Soitec旗下通訊和電力事業(yè)資深副總裁BernardAspar表示，最新12吋RF-SOI技術(shù)提升Soitec制造產(chǎn)能，客戶(hù)不僅可改善效率，有了更大型晶圓的制造廠(chǎng)做后盾，生產(chǎn)線(xiàn)也多了更多的調(diào)整空間。

　　不過(guò)，8吋RF-SOI晶圓目前需求仍強(qiáng)勁，因此Soitec在投入更先進(jìn)的12吋RF-SOI生產(chǎn)之際，也提高8吋晶圓產(chǎn)能。2015年秋季Soitec宣布決定與大陸上海新傲科技合作，利用Soitec的SmartCut技術(shù)為該公司在大陸客戶(hù)，以及全球OEM客戶(hù)制造SOI晶圓。

　　Soitec過(guò)去18個(gè)月以來(lái)已送出12吋RFeSI90樣品進(jìn)行產(chǎn)品認(rèn)證，對(duì)于新的12吋RF-SOI產(chǎn)品達(dá)到新里程碑和杰出表現(xiàn)助益良多。事實(shí)上，為了確?？蛻?hù)得到想要的產(chǎn)品效能，Soitec工程師甚至開(kāi)發(fā)出新的方式，以預(yù)測(cè)該公司晶圓產(chǎn)品效能。