受來(lái)自PC部門(mén)需求疲弱，及包括DRAM與NAND Flash價(jià)格下滑等不利因素影響，美系記憶體大廠(chǎng)美光(Micron)2016年會(huì)計(jì)年度第2季(2015年12月4日至2016年3月3日)營(yíng)收僅達(dá)29.3億美元，較前季33.5億美元衰退12.4%，亦較2015年會(huì)計(jì)年度同期41.7億美元衰退29.6%，這是美光自2015年會(huì)計(jì)年度第1季營(yíng)收45.7億美元相對(duì)高點(diǎn)以來(lái)，單季營(yíng)收連續(xù)5季衰退。

　　在DRAM與NAND Flash的平均銷(xiāo)售單價(jià)季衰退幅度超過(guò)2位數(shù)百分點(diǎn)幅度，加上營(yíng)業(yè)費(fèi)用控制成效不佳，營(yíng)業(yè)費(fèi)用占營(yíng)收比重攀升等因素影響，不僅使得美光營(yíng)業(yè)利益率出現(xiàn)連續(xù)5季下滑，2016年會(huì)計(jì)年度第2季美光稅后凈利更出現(xiàn)9,700萬(wàn)美元的虧損，每股稅后盈余則出現(xiàn)0.09美元損失，為2014年會(huì)計(jì)年度第1季以來(lái)，美光第1次出現(xiàn)單季虧損。

　　DRAM占營(yíng)收比重下滑

　　由產(chǎn)品應(yīng)用別觀(guān)察，受PC部門(mén)需求疲弱影響，美光來(lái)自PC與網(wǎng)通應(yīng)用部門(mén)營(yíng)收金額由2015年會(huì)計(jì)年度第1季20.9億美元逐季下降至2016年會(huì)計(jì)年度第2季10.5億美元，固然是拖累美光營(yíng)收表現(xiàn)的重要原因之一，然而，由美光來(lái)自行動(dòng)應(yīng)用部門(mén)營(yíng)收表現(xiàn)觀(guān)察，美光來(lái)自該部門(mén)營(yíng)收自2015年會(huì)計(jì)年度第4季9.6億美元大幅滑落至2016年第2季5億美元，占營(yíng)收比重也由26.6%下滑至17.1%，顯見(jiàn)無(wú)論是DRAM或NAND Flash，與韓系廠(chǎng)商相較，美光于行動(dòng)應(yīng)用市場(chǎng)并不具備競(jìng)爭(zhēng)力。

　　至于美光來(lái)自?xún)?chǔ)存應(yīng)用部門(mén)營(yíng)收自2015年會(huì)計(jì)年度第4季8.5億美元成長(zhǎng)至2016年會(huì)計(jì)年度第2季9億美元，營(yíng)收比重亦由23.6%攀升至30.7%，為僅次于PC與網(wǎng)通應(yīng)用部門(mén)，美光第二大營(yíng)收來(lái)源，雖然該應(yīng)用部門(mén)連5季虧損，但營(yíng)業(yè)利益率已由2015年會(huì)計(jì)年度第4季-5.4%改善至2016年會(huì)計(jì)年度第2季-2%，未來(lái)該部門(mén)獲利能力若能能持續(xù)改善，將有機(jī)會(huì)成為美光重要獲利來(lái)源之一。

　　由產(chǎn)品別營(yíng)收貢獻(xiàn)觀(guān)察，在DRAM減產(chǎn)、位元成長(zhǎng)數(shù)出現(xiàn)負(fù)成長(zhǎng)，加上DRAM平均銷(xiāo)售單價(jià)下跌幅度大于NAND Flash平均銷(xiāo)售單價(jià)下跌幅度，這也使得美光來(lái)自DRAM營(yíng)收占營(yíng)收比重由2015年會(huì)計(jì)年度第4季的60%下降至2016年會(huì)計(jì)年度第2季54%，來(lái)自NAND Flash營(yíng)收占營(yíng)收比重則由32%上升至37%，顯見(jiàn)美光希望透過(guò)產(chǎn)品組合改善策略來(lái)提升營(yíng)收與改善獲利能力。

　　段標(biāo)：產(chǎn)品組合改善、NAND Flash價(jià)格回穩(wěn)　美光獲利可望改善

　　展望2016年會(huì)計(jì)年度第3季美光營(yíng)運(yùn)表現(xiàn)，雖然DRAM價(jià)格在2016年3月下跌幅度出現(xiàn)趨緩，部分NAND Flash產(chǎn)品價(jià)格也出現(xiàn)上揚(yáng)，美光也朝向提高NAND Flash及20奈米制程產(chǎn)品占營(yíng)收比重等產(chǎn)品組合改善的方向努力。

　　DIGITIMES Research預(yù)期，下個(gè)季度(2016年3月4日至2016年6月3日)來(lái)自DRAM營(yíng)收占美光營(yíng)收比重，仍高于NAND Flash占營(yíng)收比重，而DRAM價(jià)格下滑將成為最大隱憂(yōu)，加上20奈米制程所帶來(lái)效益，預(yù)估要至2016年第4季、甚至要至2017年上半才會(huì)明顯發(fā)揮，行動(dòng)應(yīng)用部門(mén)競(jìng)爭(zhēng)力亦未見(jiàn)到有效提升，因此，美光2016年會(huì)計(jì)年度第3季仍將難逃虧損窘境，但在產(chǎn)品組合改善的情況下，虧損金額將較上季減少，2016年會(huì)計(jì)年度第4季則將有機(jī)會(huì)轉(zhuǎn)虧為盈。

　　除提升20奈米制程比重，美光將推出20奈米制程解決方案外，DDR4產(chǎn)品也將推至企業(yè)、云端，及智慧型手機(jī)旗艦級(jí)機(jī)種等應(yīng)用市場(chǎng)。美光也將鎖定車(chē)用電子、工業(yè)、繪圖，及其他嵌入式應(yīng)用市場(chǎng)進(jìn)行布局，因此，利基型記憶體也將成為美光未來(lái)營(yíng)收與獲利改善的重要方向。