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            武漢新芯存儲器芯片工廠動(dòng)土 追趕三星不被看好

            作者: 時(shí)間:2016-03-29 來源:工商時(shí)報(bào) 收藏
            編者按:中國正在打造世界級半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),砸240億美元巨資,以“國家隊(duì)”力量來“彎道超車”!用錢可以砸出來國家隊(duì),但是技術(shù)還得靠自己。

              武漢集成電路制造有限公司(XMC)在28日動(dòng)土,目標(biāo)是當(dāng)前最先進(jìn)的3D NAND Flash,是中國公司真正走上自主生產(chǎn)半導(dǎo)體之路的里程碑。

            本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201603/288954.htm

              以2014年數(shù)據(jù)來說,大陸芯片市場規(guī)模破兆元(人民幣,下同),占全球芯片市場的50.7%,其中儲存芯片市場規(guī)模達(dá)2465.5億元,但該產(chǎn)業(yè)鏈在大陸是空白一片,全都仰賴進(jìn)口。

              核心芯片需自制

              去年大陸國務(wù)院總理李克強(qiáng)就說,進(jìn)口芯片的錢居然已跟石油差不多,就是在指責(zé)中國無法自產(chǎn);不少業(yè)者也說,現(xiàn)在網(wǎng)路相關(guān)產(chǎn)品越來越多,為了確保資訊與國家安全,以及軍事使用,儲存的核心芯片必須自制。

              所以在2014年啟動(dòng)關(guān)于半導(dǎo)體的發(fā)展計(jì)畫后,也成立了國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金公司(國家大基金),今年更將其列為“十三五”規(guī)畫,并大力宣傳包括紫光集團(tuán)、 中國電子、長電科技等,已是“芯片國家隊(duì)”,而武漢則是補(bǔ)充儲存芯片這一塊空缺,選擇與美國Spansion合作,交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash技術(shù)。

              武漢營運(yùn)長洪沨表示,3D NAND Flash將成為中國記憶體芯片產(chǎn)業(yè)彎道超車的切入點(diǎn)。


            武漢新芯存儲器芯片工廠動(dòng)土 追趕三星不被看好


              國際NAND Flash大廠比一比

              恐淪懲罰性業(yè)務(wù)

              武漢新芯拿到的是國家大基金和湖北與武漢的當(dāng)?shù)卣Y金,公司高層很多來自中芯,外媒戲稱是“政府自己人”,目標(biāo)對手是南韓三星,但分析師并不看好,認(rèn)為起步已比三星晚很多,這一行投資成本極高,若做不到市占率第一,就很容易成為“懲罰性業(yè)務(wù)”。

              外媒甚至以臺灣經(jīng)驗(yàn)為例,過去投入數(shù)百億美元仍以失敗作收,多家公司被對手收購,三星電子已能量產(chǎn),若說技術(shù)可達(dá)64層,武漢新芯恐怕只有8層。

              但臺灣業(yè)者要先擔(dān)心的是,大陸官方插手量產(chǎn)后造成的產(chǎn)能過剩價(jià)格戰(zhàn),因武漢新芯最快明年量產(chǎn),但各大記憶體廠也在加大相關(guān)產(chǎn)能投資,SK海力士擴(kuò)充產(chǎn)能將于2019年投產(chǎn),最近東芝也宣布3年擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫。



            關(guān)鍵詞: 新芯 存儲器

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