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      Fairchild新一代PowerTrench MOSFET提供一流性能

      作者: 時間:2016-03-22 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

        全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商 (NASDAQ: FCS) 在2016年APEC上發(fā)布了新一代100V N溝道Power 旗艦產(chǎn)品——FDMS86181 100V屏蔽柵極PowerTrench? 。 FDMS86181是新一代PowerTrench 系列的首款器件,能夠使需要100V MOSFET的電源、電機驅(qū)動和其他應(yīng)用極大地提升效率、降低電壓振鈴并減弱電磁干擾(EMI)。

      本文引用地址:http://www.biyoush.com/article/201603/288622.htm

        近25年前,曾率先在PowerTrench MOSFET上取得了成功。新一代PowerTrench產(chǎn)品將會讓我們繼續(xù)處于MOSFET技術(shù)研發(fā)的最前沿,領(lǐng)先于競爭對手,并滿足客戶嚴苛的要求。

        Fairchild副總裁兼iFET業(yè)務(wù)部門總經(jīng)理Suman Narayan表示:“相對于此前產(chǎn)品,我們的新型100V N溝道FET已取得巨大進步。從能效到可靠性,新一代PowerTrench MOSFET系列產(chǎn)品在各個性能類別的表現(xiàn)幾乎都優(yōu)于競爭對手,堪稱行業(yè)領(lǐng)先?!?/p>

        新型FDMS86181的主要優(yōu)點分別為:Rdson減少了40%,從而降低了導(dǎo)通損耗;最大程度降低柵極電荷(Qg),從而減少了開關(guān)損耗。FDMS86181極低的反向恢復(fù)電荷(Qrr)幾乎消除了產(chǎn)生振鈴的電壓過沖隱患,這就允許在產(chǎn)品設(shè)計時少用或者不用緩沖器并降低電磁干擾(EMI)。 利用FDMS86181的這一獨特優(yōu)勢,設(shè)計人員不但減小了產(chǎn)品的尺寸,同時還降低了物料(BOM)成本。

        請訪問fairchildsemi.com.cn/powertrench,獲取樣品以及關(guān)于新型100V PowerTrench MOSFET的更多信息。



      關(guān)鍵詞: Fairchild MOSFET

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