應(yīng)用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁余定陸認(rèn)為，在3D NAND和10奈米技術(shù)帶動(dòng)下，今年晶圓代工資本支出有望回升。

　　應(yīng) 用材料集團(tuán)副總裁暨臺(tái)灣區(qū)總裁與全球半導(dǎo)體業(yè)務(wù)服務(wù)群跨區(qū)域總經(jīng)理余定陸表示，2015年看到這四年以來晶圓代工的資本支出進(jìn)入谷底，預(yù)估今年投資水位有 望提升，而大部分支出將發(fā)生在下半年，其中有五成以上將集中于10奈米技術(shù);對(duì)晶圓代工來說，10奈米不同于16奈米，最顯著變化在于鰭式場(chǎng)效電晶體 (FinFET)和導(dǎo)線技術(shù)能改善元件性能和功耗。

　　余定陸進(jìn)一步指出，記憶體制造商在電晶體過渡到3D NAND面臨非常大的壓力。記憶體廠商在加速3D NAND技術(shù)量產(chǎn)時(shí)，投資一定會(huì)比前一年增加。由于研發(fā)成本非常的高，記憶體廠商與設(shè)備供應(yīng)商的合作也將更加緊密，通常都會(huì)提早2至3年開始合作，否則無 法做出成品。

　　另一方面，余定陸透露，半導(dǎo)體廠商對(duì)于蝕刻(Etch)和化學(xué)機(jī)械研磨(CMP)技術(shù)需求很高，他表示，應(yīng)材在2015年半導(dǎo)體設(shè)備的訂單與營(yíng)收達(dá)到自2007年以來的新高，其中蝕刻、化學(xué)氣相沉積(CVD)、化學(xué)機(jī)械研磨等產(chǎn)品所貢獻(xiàn)的營(yíng)收都創(chuàng)下近年來的新高點(diǎn)。

　　整體而言，余定陸認(rèn)為今年半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)仍有成長(zhǎng)空間。雖然智慧型手機(jī)出貨量的成長(zhǎng)放緩，高端手機(jī)競(jìng)爭(zhēng)激烈，使得半導(dǎo)體廠商面臨巨大的壓力，但半導(dǎo)體商仍須運(yùn)用設(shè)備來制造先進(jìn)的晶片，增添手機(jī)新功能，提供產(chǎn)品差異化。因此，依舊看好對(duì)于晶圓代工設(shè)備的資本支出。